新世代プロセス「TaRF5」を使い、世界最小クラスの挿入損失とサイズを実現

東京-- （ビジネスワイヤ） -- 東芝は、スマートフォン市場向けに、世界最小クラスの挿入損失（注１）とサイズ（注２）を実現したMIPI(R) RFFE（注３）対応のSP10T（注４）高周波アンテナスイッチを本日からサンプル出荷します。

新製品には、SOI(Silicon on insulator)技術（注５）を用いた当社独自プロセス「TarfSOI（TM）（Toshiba advanced RF SOI）」（注６）の最新版である「TaRF5」を適用しました。その結果、従来の「TaRF3」を使った製品に比べ挿入損失 (f=2.7GHz)を約25%低減、サイズを約40%縮小することを実現しました。それにより、挿入損失低減によるバッテリの長寿命化、サイズ縮小によるデバイス実装面積の削減に貢献することが可能です。

当社はシリコンベースのSOI-CMOSプロセスを用いた携帯電話向けの高周波スイッチを2009年から製品化し、その後もプロセスやデバイスの世代交代を進めてきました。当社は世界各地で導入の進むLTEや、今後導入が予定されているLTE-Advanced（注７）で多ポート化、複雑化していく高周波スイッチにおいて、低挿入損失化、小型化で市場のニーズに対応する商品を積極的に開発していきます。


注１ 高周波回路において1つの端子からもう1つの端子に伝播する電力の損失をデシベルで表したもの。
注２ 2013年10月8日現在、高周波アンテナスイッチ市場において。当社調べ。
注３ MIPI Alliance, Inc.により作成されたRFフロントエンドデバイス制御インターフェース。
MIPIはMIPI Alliance, Inc.の登録商標です。
注４ Single Pole Ten Throw Switch
注５ CMOS LSIの高速性・低消費電力化を向上させるため、MOSFETのチャネルの下に絶縁膜を形成し、浮遊容量を低減させる技術。

注６ TarfSOI（TM）は株式会社東芝の商標です。
注７ LTEに次ぐ新たなスマートフォンの通信規格。仕様は標準化団体である3GPPにて標準化を行っている。ITUの定める第4世代移動通信システムの一つ。


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