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東芝、最先端プロセスを用いた組込み式NAND型フラッシュメモリを発売

最先端プロセスを用いた組込み式NAND型フラッシュメモリの発売について
―１９nm第二世代プロセスを用いたJEDEC　e・MMC（TM）　Version　５．０準拠の新製品―


　当社は、スマートフォンやタブレットなどの携帯機器向けに、１９nm第二世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリチップを採用した、３２GBと１６GBの組込み式NAND型フラッシュメモリ（e・MMC（TM）（注１））を製品化し、１１月下旬から量産を開始します。

　新製品は、今年９月に開催されたJEDECで正式に策定されたe・MMC（TM）　Version　５．０（注２）に準拠し、１９nm第二世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリとコントローラチップを一体化した制御機能付の組み込み式NAND型フラッシュメモリです。最先端プロセスを採用したNAND型フラッシュメモリチップを使用することにより、従来製品（注３）に比べてパッケージサイズ面積が２２％小型化しました。

　また、新規高速インターフェース規格HS４００の適用、コントローラの処理能力向上、書き込み処理の最適化などにより、従来製品に比べて読み出し速度が６４％、書き込み速度が３２GBで３８％、１６GBで２５％、高速化しました。

　なお、４GB、８GB、６４GB、１２８GBの製品も順次量産を行う予定です。

　近年、スマートフォンやタブレット、デジタルビデオカメラなどの様々な携帯機器で、高画質動画を記録したり、大容量のデータベースを加工・記録するニーズが高まっており、それらを保存する大容量メモリが求められています。当社は、今後も機器側の開発負担軽減に寄与する大容量メモリ製品のラインアップを強化していきます。

　注１：embedded　MultiMediaCard。JEDECの規格に準拠した組込みメモリで、JEDECの登録商標です。
　注２：JEDECが規定する組込み式NAND型フラッシュメモリembedded　MMC標準規格の一つ。
　注３：１９nm第一世代プロセスを用いた高速クラスの組込み式NAND型フラッシュメモリ（e・MMC（TM））。


＜新製品の概要＞

　※添付の関連資料を参照


＜新製品の主な特長＞

１．NAND型フラッシュメモリの制御機能を搭載
　NAND型フラッシュメモリの制御機能（書込みブロック管理、エラー訂正、ドライバーソフトウェアなど）を搭載しており、ユーザー側での開発負荷が軽減され、システム開発期間の短縮につながります。

２．１９nm第二世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリチップを採用
　最先端の１９nm第二世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリチップを、３２GBモデルでは４枚、１６GBでは２枚採用しています。

３．小型化と高速化を実現
　１１．５mm×１３mmの小型FBGAパッケージを採用しているため、小型軽量化が求められるスマートフォンやタブレットへの搭載に適しています。また、従来製品に比べて読み出し速度が６４％、書き込み速度が３２GBで３８％、１６GBで２５％高速化しました。

４．大容量データの記録が可能
　３２GBモデルでは、HD画質動画で４．１時間、SD画質動画で９．６時間、ワンセグでは１６１時間の映像データ（注４）の記録が可能です。

　注４：各平均ビットレートは、HD画質　約１７Mbps、SD画質　約７Mbps、ワンセグ（QVGA）　約４１６Kbpsで計算。


＜新製品の主な仕様＞

　※添付の関連資料を参照


以上


　※製品画像は、添付の関連資料を参照


■新製品についてのお客様からのお問い合わせ先：
　メモリ営業推進統括部　０３－３４５７－３４６１
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