2013/11/25 Category : 未選択 三菱電機、W－CDMA方式の携帯端末向けマルチバンド送信電力増幅器を発売 グローバル仕様のスマートフォン・タブレット端末の小型化に貢献 三菱電機「W－CDMA方式携帯端末用マルチバンド送信電力増幅器」発売のお知らせ 三菱電機株式会社は、スマートフォンやタブレットなどの携帯端末に使用される送信電力増幅器の新製品として、マルチバンド送信電力増幅器「BA０１２M１」を１１月３０日に発売します。 本製品は、１つで日本・アジア・米国・欧州などで使用されている主要な４周波数帯およびW－CDMA・LTEなどの通信方式に対応できるため、電力増幅器部分の実装面積が大幅に低減し、携帯端末の小型化に貢献します。 なお、本製品は「マイクロウェーブ展２０１３」（１１月２７～２９日、於：パシフィコ横浜）に出展します。 ＊製品画像は、添付の関連資料を参照 ＜新製品の特長＞ １．主要な４種類の周波数帯に対応し、グローバル仕様の携帯端末の小型化に貢献 ・広帯域設計により、１つで日本・アジア・欧州・北米などの主要４周波数帯（※１）すべてに対応 ・従来は周波数帯ごとに４つの増幅器が必要であったため、実装面積が大幅に低減 ・３．０mm×４．２mm×１．０mmの小型リードレスパッケージで、携帯端末の送信部の部品面積の大幅な省スペース化に貢献 ※１：Band１：２GHz帯、Band２：１．９GHz帯、Band５：０．８GHz帯、Band８：０．９GHz帯 ２．高効率を実現し、携帯端末の低消費電力化に貢献 ・高出力と低出力の２種類のパワーモードに対応 ・最大出力において業界最高レベルの電力付加効率４６％の高効率を実現し、送信部の消費電力を低減 ３．周辺機能を内蔵することで外付け部品が不要 ・集積性に優れたGaAs（※２） BiFET（※３）を採用 ・基準電圧発生器の内蔵により、外付け部品なしでデジタル信号による増幅器のオン・オフが可能 ・方向性結合器の内蔵により、出力電力のモニタリングを容易に実現 ※２：ガリウム・ヒ素 ※３：Bipolar Field Effect Transistor：HBT（Hetero－junction Bipolar Transistor）とHEMT（High Electron Mobility Transistor）を一体集積した高周波用素子 ＜発売の概要＞ 製品名 ：携帯端末用マルチバンド送信電力増幅器 形名 ：BA０１２M１ 概要 ：動作周波数：８２４～９１５MHz １８５０～１９８０MHz 出力電力：２８．５dBm 電力付加効率：４６％ サンプル価格（税抜き）：５００円 サンプル出荷開始日 ：１１月３０日 月産数 ：３００万個 ＜発売の狙い＞ スマートフォンやタブレットなどの普及により、携帯端末を使用する通信システムにおけるデータ通信量は爆発的に増大し、携帯端末で利用される周波数帯の種類も増加しています。 また、１台の携帯端末をグローバルで利用するためには、これまで様々な地域の周波数帯に対応するそれぞれの送信電力増幅器が必要であったため、送信部の大型化が大きな課題となっていました。 当社は今回、日本・アジア・欧州・北米などの主要な４周波数帯での動作を１つの送信電力増幅器で実現するマルチバンド送信電力増幅器を発売し、グローバル仕様の携帯端末の小型化に貢献します。 ＊主な仕様は、添付の関連資料を参照 ＜製品担当＞ 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 〒６６４－８６４１ 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 ＜お客様からのお問い合わせ先＞ 三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第二部 〒１００－８３１０ 東京都千代田区丸の内二丁目７番３号 TEL：０３－３２１８－４８８０ FAX：０３－３２１８－４８６２ URL：http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/ PR Comment0 Comment Comment Form お名前name タイトルtitle メールアドレスmail address URLurl コメントcomment パスワードpassword
