2013/10/15 Category : 未選択 IRジャパン、両面放熱可能なDirectFET２パッケージに封止した車載用パワーMOSFETを発売 インターナショナル・レクティファイアー 両面放熱可能なDirectFET(R)２パッケージに封止した車載用パワーMOSFETを発売 ～システム全体のサイズとコストを削減、電力密度を向上～ パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン）株式会社（本社：東京都新宿区）は１１日、車載用のDirectFET(R)２パワーMOSFET「AUIRF８７３６M２」を発売しました。小さな実装面積で高い電力密度が要求される電動パワー・ステアリング（EPS）や、ブレーキング・システム、ポンプなどの重い負荷の自動車用途に最適です。 IR社のベンチマークとなるCOOLiRFET(TM)シリコン技術を強化した耐圧４０VのAUIRF８７３６M２は、導通損失を最小化するために、前世代のデバイスと比べて、オン抵抗（内部抵抗）を４０％低減しました。表裏両面放熱が可能なDirectFET(R)２の中型缶パワー・パッケージに封止したので、優れた熱特性と低い寄生インダクタンスを実現しています。 COOLiRFET(TM)シリコンの特性とDirectFET(R)２パッケージとを組み合わせることで、AUIRF８７３６M２は、同じ実装面積でオン抵抗を４０％改善し、同等の特性の大型缶のデバイスに対して、パッケージ面積が半分で済むので、車載用途のシステム全体のサイズとコストを削減できます。 このデバイスは、車載部品の品質規格AEC－Q１０１に準拠しています。完全に鉛フリーのパッケージで、部材は欧州の規制RoHS（特定物質の使用規制）に準拠しています。ゼロ・ディフェクトを目標とするIR社の車載品質イニシアチブの対象製品です。データシート、アプリケーション・ノート、品質基準は、IR社のホームページ（http://www.irf.com）から入手できます。 AUIRF８７３６M２の１万個購入時の単価は０．８２米ドルからの予定です（米国での参考価格）。データシートと画像データはIRジャパンのホームページ（http://www.irf-japan.com）からも入手できます。 【表 製品化した車載用DirectFET(R)２パワーMOSFETの仕様】 ＊添付の関連資料を参照 注）最大ドレイン電流はパッケージ温度２５℃のときの値、オン抵抗とゲート電荷は、ゲート－ソース間電圧１０Vのときの値です。DirectFETパッケージの中型缶の面積は４．９mm×６．３mm、大型缶は７mm×９．１mmです。 ＜インターナショナル・レクティファイアー（IR(R)）社について＞ IR社はパワー・マネジメント（電源管理）技術のリーダーです。IR社のアナログIC、アナログ／デジタル混在IC、最先端デバイス、電源のシステムや部品は、コンピュータの性能向上や、世界で最も電力消費の大きいモーターの省エネに貢献しています。コンピュータ、省エネ家電、照明器具、自動車、衛星・航空・防衛システムなどの主な製造企業は、次期製品の性能向上のためにIR社のパワー・マネジメント・ソリューションに頼っています。本社は米国カリフォルニア州エルセグンド。ホームページはhttp://www.irf.comです。 注：COOLiRFET(TM)はInternational Rectifier Corporationの商標です。IR(R)、DirectFET(R)はInternational Rectifier Corporationの登録商標です。当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。 PR Comment0 Comment Comment Form お名前name タイトルtitle メールアドレスmail address URLurl コメントcomment パスワードpassword
