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リリースコンテナ第3倉庫



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岡島パイプ製作所と豊田通商、インドネシアに鋼管生産拠点を設立

現地調達化ニーズに対応～


　株式会社岡島パイプ製作所（http://www.okajima-pipe.co.jp/）（本社：愛知県東海市、社長：岡島威彦、以下岡島パイプ）と豊田通商株式会社（本社：愛知県名古屋市、社長：加留部　淳、以下豊田通商）は、このほどインドネシアで小径薄肉精密電縫管の製造・販売を行うことになりました。PT．Top　Tube　Indonesia（以下新会社）を２０１３年１１月にジャカルタ市郊外のKIM工業団地に設立し、２０１４年１１月の操業開始を目指しております。

　インドネシアでは、日系自動車メーカーの４輪増産や各種産業の発展を背景に、小径鋼管需要も急速に拡大しております。今般、自動車市場並びに各種産業における現地調達ニーズへの貢献を目指し、同国への進出を行うことになりました。岡島パイプは東浦工場（愛知県知多郡東浦町）で小径薄肉精密電縫管を中心に生産しております。新会社では、その鋼管製造ノウハウを活用し、小径鋼管を中心に製造・販売致します。また、豊田通商は素材の安定供給を新会社に提供することで、現地調達化ニーズに貢献して参ります。
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ANA、１２月２０日～２０１４年２月２８日搭乗分の１３年度下期国内線運賃一部変更

２０１３年１２月２０日～２０１４年２月２８日搭乗分
２０１３年度下期国内線運賃の一部変更を届出


　ANAは本日、２０１３年１２月２０日（金）～２０１４年２月２８日（金）搭乗分の沖縄＝宮古線および沖縄＝石垣線の２０１３年度下期国内線運賃の一部変更について、国土交通省に届出を行いました。

　概要は、次の通りです。


＜１．沖縄＝宮古線の運賃額の変更＞

　（１）対象運賃：「ビジネスリピート」、「ビジネスきっぷ」、「出張＠割」
　（２）対象期間：２０１３年１２月２０日（金）～２０１４年２月２８日（金）搭乗分
　（３）変更内容：運賃額の変更
　　　※２０１３年１２月１１日（水）ご購入分からの適用となります。

　　　＊添付の関連資料「参考資料（１）」を参照


＜２．沖縄＝石垣線の運賃額の変更＞

（１）対象運賃：「ビジネスリピート」、「ビジネスきっぷ」、「出張＠割」
（２）対象期間：２０１３年１２月２０日（金）～２０１４年２月２８日（金）搭乗分
（３）変更内容：運賃額の変更
　　　※２０１３年１２月１１日（水）ご購入分からの適用となります。

日本工作機械工業会、１１月の工作機械受注額（速報）を発表

「２０１３年１１月分受注額（総額・内需・外需）速報」集計結果について


　２０１３年１１月分工作機械受注速報がまとまりましたので、以下の通りご報告致します。

　　　　　　　　　　　　記

　（単位：百万円・％）

　　　　　　　　　２０１３／１１月分　前月比　　前年同月比　　　２０１３年累計　　前年比
　受注総額　　　　１０１，７２６　　　９９．５　　　　１１５．４　　　１，００９，２７３　　８９．４
　うち内需　　　　　　４１，６１１　　１０７．６　　　　１３９．３　　　　　３６４，０８４　１０４．０
　うち外需　　　　　　６０，１１５　　　９４．６　　　　１０３．１　　　　　６４５，１８９　　８２．９


　＊表形式の「２０１３年１１月分工作機械受注速報」は添付の関連資料を参照


　※１．集計対象企業は、日工会受注ベースに同じです。
　　　２．上記数値は速報値であり、確報値は１２月１７日（火）に発表予定です。


以上

JEITA、１０月の移動電話国内出荷実績を発表

２０１３年１０月移動電話国内出荷実績（JEITA／CIAJ）


　＊表は添付の関連資料「２０１３年１０月移動電話国内出荷実績（表形式）」を参照


＜１０月の概況＞

　２０１３年１０月の移動電話国内出荷台数は１，９２９千台、前年同月比１１７．４％、冬商戦モデルの出荷が始まったことから、４ヶ月ぶりのプラスとなった。うち、スマートフォンは１，１６１千台、前年同月比１１３．４％、スマートフォン比率は６０．２％となった。スマートフォンについても、４ヶ月ぶりのプラスとなった。
　２０１３年１０月の携帯電話は、１，８４１千台、前年同月比１１６．９％となった。
　２０１３年１０月の公衆用PHSは８８千台、前年同月比１２７．８％となった。

　※移動電話統計の月次公表は、２０１１年４月実績分より、一般社団法人　情報通信ネットワーク産業協会（CIAJ）との連名にて行っている。
　※単位未満四捨五入により、内訳と合計が一致しない場合がある。

商船三井、WFS社向けメタノール専用船の長期定期貸船契約を締結

WFS社向けメタノール専用船　長期定期貸船契約・投入船建造に合意
～世界初のメタノールおよび重油２元燃料対応エンジンを搭載～


　このたび当社は、Waterfront　Shipping　Company　Limited（Jone　Hognestad社長、以下「WFS社」、（＊１））と新造メタノール専用船最大３隻の長期定期貸船契約を締結しました。本船はメタノールおよび重油の２元燃料に対応可能な低速ディーゼルエンジンを世界で初めて搭載します。

　このディーゼルエンジンは三井造船株式会社（田中孝雄社長、以下「三井造船」）が製造し、また、本船は南日本造船株式会社（池辺隆太郎社長）にて建造され、２０１６年の竣工後、WFS社向けのメタノール輸送に従事する予定です。

　メタノールは、硫黄酸化物（SOx）の発生をゼロに抑えることが可能であり、環境負荷の少ないエネルギーとして注目されています。
　本船は、メタノールを燃料とするほか、バラスト水処理装置（＊２）を先行搭載、プロペラ前後へ省エネ付加物を採用して燃料消費効率を向上させるなど、優れた環境性能を発揮します。

　当社は、世界最大級のメタノール専用船保有船社として、これまでに培ってきた経験、ノウハウを生かし、幅広い顧客のニーズに応えることで、メタノール輸送サービスのさらなる拡充に取り組みます。
　併せて、当社は環境戦略の一つとして大気汚染防止への取り組みを進めており、今後も環境負荷低減に資するあらゆる技術の導入に積極的に取り組んでいきます。

　（＊１）WFS社について：
　　世界最大のメタノール専業生産者・トレーダーであるMethanex　Corporation（John　Floren社長、以下「Methanex社」）の１００％出資法人。Methanex社は世界のメタノール生産量約６０百万トンのうち７．５百万トンを取り扱い（２０１２年）、WFS社はそのメタノール海上輸送を担う。

　（＊２）バラスト水処理装置：
　　貨物の積荷役にあわせて排出されるバラスト水は、海洋生物を越境移動させ、海洋生態系および生物多様性の保全に対し影響を与える恐れがあり、１９８０年代後半から国際的に問題視されるようになった。これを受けてIMOで２００４年２月に「バラスト水管理条約」が採択された。
　　当社は「生物多様性保全への貢献」を掲げており、発効に向けて批准が進む同条約への円滑な対応を進めている。


以上

ビデオリサーチ、米Twitter社と「Twitter　TV指標」提供で協業

ビデオリサーチ「Twitter　TV指標」提供に関し、Twitter社との協業に合意
－ツイートの到達を示す「インプレッション指標」などを独占提供－


　株式会社ビデオリサーチ（本社：東京都千代田区、社長：秋山創一、以下ビデオリサーチ）は、米Twitter社（本社：米国カリフォルニア州、CEO：ディック・コストロ、以下Twitter社）と、Twitter上でのテレビ番組への反応を測る「Twitter　TV指標」の提供開始について協業して取り組むことに合意しました。

　ソーシャルネットワークの利用が広まる中で、テレビとソーシャルメディアの連携は様々な場面で実施されています。連携は益々活発になっており、本件は両者の関係性を表す共通指標整備として取り組むものです。


■ツイートの到達を示す「インプレッション指標」を国内初提供
　「Twitter　TV指標」は、『ツイートの投稿数』『ツイートしたユーザー数』『インプレッション数』『インプレッションユーザー数』などにより構成されます。その中で、「インプレッション」はTwitter社との協業により、当社が国内で初めて提供するものとなります。

　当社では、「テレビとTwitterの関係を考える視点」は大きく２つあると捉えています。
　ひとつめは「Twitterによるテレビ視聴への誘引効果」です。他者に影響を及ぼすという観点ではツイートの投稿数よりも表示数が適していると考えられます。今回ご提供する「インプレッション」は、ツイートの到達を示すものであり、影響度合いの把握に寄与します。

　もうひとつは、テレビ番組に対する評判や話題性を、交わされるツイートから明らかにし、「番組コンテンツの価値」を探ることです。ツイートの密度（時間変化・集中度）や構造（投稿とインプレッションの比率）、そしてツイートの内容（テーマ・話題）などを俯瞰的に確認する必要があると考えています。指標の提供に加え、ツイートの解析にも積極的に取り組んでいます。

　なお、従来はハッシュタグを基準とした指標の整備を目指していましたが、ハッシュタグを用いないツイートも多数存在する実態を踏まえ、ハッシュタグとキーワードの両者を用いたツイートの取得に切り替えます。皆様に広くご利用いただける共通指標として、テレビ関係者様のご意見を取り入れた公平性が保たれる取得方法に留意するとともに、今回の取り組みがテレビメディアの評価を多角的に捉える一助となるように努めます。


　［提供開始日］
　　「Twitter　TV指標」は、２０１４年６月よりご提供を開始いたします。
　［その他指標］
　　ビデオリサーチは、今後、テレビ番組だけでなく『テレビCM』や『タレント』の指標開発なども実施してまいります。

テラ、免疫細胞医薬品として樹状細胞ワクチンの承認めざし新会社を設立

子会社設立に関するお知らせ
～日本初の免疫細胞医薬品として樹状細胞ワクチン「バクセル（Ｒ）（Vaccell）」の承認を目指す～


　当社（本社：東京都港区、代表取締役社長：矢崎雄一郎）は、平成25年12月10日開催の取締役会において、当社全額出資の子会社「テラファーマ株式会社」を設立することを決議いたしましたので、下記のとおりお知らせいたします。当社は、子会社であるテラファーマ株式会社を通じて、日本初の免疫細胞医薬品（がん治療用の再生医療等製品）として樹状細胞ワクチン『バクセル（Ｒ）（Vaccell）』の承認を目指してまいります。

　　　　　　　　　　　　　　　記

1. 設立の理由 
　再生医療・細胞治療は、アベノミクス成長戦略において重点分野に位置付けられ、特にiPS細胞を用いた臨床研究については、世界で初めて実施される等注目されています。平成25年11月20日には、第183回通常国会より継続審議されていた「薬事法等の一部を改正する法律案」及び「再生医療等の安全性の確保等に関する法律案」が成立し、再生医療・細胞治療を取り巻く環境が大きく変化しています。
　当社は、がんワクチンの一つである樹状細胞ワクチン療法※1等の技術・ノウハウを、大学病院をはじめとした全国32ヶ所の医療機関に提供しています。既に契約医療機関における累計症例数は約7,300症例（平成25年9月末現在）に達し、これらの臨床実績をもとにエビデンスの強化を図っています。特に膵がん、肺がん、胆道がんについては、樹状細胞ワクチン療法の臨床成績が欧米の著名な学会誌に掲載されております。平成25年4月に、九州大学と共同で開発した大量増幅培養技術※2（特許出願中）を用いた細胞医薬品製造のためのフィージビリティスタディを開始しており、現在、日本初の免疫細胞医薬品として、当社の樹状細胞ワクチン『バクセル（Ｒ）（Vaccell）※3』が「医薬品、医療機器等の品質、有効性及び安全性の確保等に関する法律」における承認を得るための取り組みを推進しております。
　当社は、再生医療・細胞治療を取り巻く環境が大きく変化する中で、着実に積み重ねてきた臨床実績及び研究成果並びに、高品質で安定的な細胞を培養する技術・ノウハウを強みとし、日本初の免疫細胞医薬品としての承認を目指し、開発及び事業化の検討を加速させるため、テラファーマ株式会社を設立することといたしました。

2. 設立する子会社の概要
（１）名　称　　　　　　テラファーマ株式会社
（２）所在地　　　　　　東京都港区赤坂一丁目12番32号
（３）代表者　　　　　　代表取締役矢崎雄一郎
（４）主な事業内容　　医薬品、医療機器、再生医療等製品等の研究、開発・試験、製造、
　　　　　　　　　　　　　売買及び輸出入に係る調査及び企画等
（５）資本金　　　　　　１億円
（６）設立年月日　　　平成26年1月中（予定）
（７）決算期　　　　　　12月31日
（８）大株主及び持ち株比率　テラ株式会社　　100％

　＊社長名の正式表記は添付の関連資料を参照

3. 日程
　平成25年12月10日　　　　　　取締役会決議
　平成26年1月中（予定）　　　　会社設立登記

4. 今後の見通し
　本件による今期業績への影響は軽微であります。 

※1 樹状細胞ワクチン療法 
本来、血液中に数少ない樹状細胞（体内に侵入した異物を攻撃する役割を持つリンパ球に対して、攻撃指令を与える司令塔のような細胞）を体外で大量に培養し、患者のがん組織や人工的に作製したがんの目印である物質(がん抗原)の特徴を認識させて体内に戻すことで、樹状細胞からリンパ球にがんの特徴を伝達し、そのリンパ球にがん細胞のみを狙って攻撃させる新しいがん免疫細胞療法です。 

※2 大量増幅培養技術 
樹状細胞ワクチンを細胞医薬品としてより均一かつ安定的に工業生産するためには、多様な身体状況にある患者ごとに培養される樹状細胞の生物活性や細胞数のバラツキを最小限とする技術改良が必要となります。当社が九州大学と共同で開発し特許出願した「樹状細胞の培養方法（特願2010-112588）」は、この課題を解決する技術です。本技術により、末梢血単核球から均一かつ十分な抗原提示能をもつ樹状細胞の大量増幅培養が可能となり、従来の当社の技術と比較して同等以上の生物活性を持つ、200倍以上の樹状細胞ワクチンを得ることが可能となりました。 

※3 バクセル（Ｒ）（Vaccell） 
バクセル（Ｒ）（Vaccell）は、当社の登録商標です。英語の「vaccine（ワクチン） + cell（細胞）」を語源とする造語で、「細胞によるがんワクチン」を意味します。 


以 上

セブン＆アイHD、イトーヨーカ堂と天満屋ストアが資本提携

子会社による株式会社天満屋ストアとの資本提携、
及び当社と株式会社天満屋ストア並びに株式会社天満屋との業務提携に関するお知らせ


　当社の完全子会社である株式会社イトーヨーカ堂（以下「イトーヨーカ堂」といいます。）は、平成２５年１２月１０日開催の取締役会において、株式会社天満屋ストア（証券コード：９８４６、東証第二部、以下「天満屋ストア」といいます。）との資本提携に関する基本合意について決議いたしました。また、当社は天満屋ストア及び株式会社天満屋（以下「天満屋」といいます。）の３社間による業務提携に関する基本合意書を締結いたしましたので、下記の通りお知らせいたします。

　　　　　　　　　　記

１．資本・業務提携の理由
　当社は、コンビニエンスストア事業、スーパーストア事業、百貨店事業、フードサービス事業、金融関連事業、IT／サービス事業などの様々な事業を持つ強みを結集し、お客様のニーズに合わせた商品、サービスを追求しております。当社グループのスーパーストア事業の中核会社であるイトーヨーカ堂では、付加価値の高い商品の品揃えや接客の強化に加え、鮮度・味、安全・安心、フレンドリーサービス、クリンリネス等の基本を徹底し、地域に根ざした店づくりを目指しております。
　この度、イトーヨーカ堂では、岡山県・広島県における小売事業の基盤強化を図るため、同地域において総合スーパー及び食品スーパーマーケットを展開している天満屋ストアとの資本提携を締結し、同社の主要株主である天満屋及び丸田産業株式会社（以下、「丸田産業」といいます。）から、議決権割合２０．０％に相当する同社普通株式を譲り受けることといたしました。同時に当社は、天満屋ストア及び天満屋との業務提携を実施いたします。
　当社は、この資本・業務提携を通じ、岡山県、広島県における当社グループ事業の規模拡大に加え、天満屋ストアにおける地域に根ざしたマーチャンダイジング力の活用、物流・情報システム・人材の共有化やスケールメリットを活かした商品及び資材調達によるコスト低減等の様々なシナジー効果を具体化することで当社グループの更なる成長を図ってまいります。

２．資本・業務提携の内容
（１）資本提携の内容
　イトーヨーカ堂は、天満屋ストアの普通株式２，３１０，０００株（内、天満屋から１，７１０，０００株、丸田産業から６００，０００株）を市場外の相対取引により平成２６年１月３１日に取得する予定です。これにより、イトーヨーカ堂が保有する天満屋ストアの発行済株式総数に対する所有割合は２０．００％（議決権所有割合は２０．００％）となる予定です。

（２）業務提携の内容
　当社及び天満屋ストア並びに天満屋は、物流、情報システム、人材開発、商品調達、店舗開発等の分野における協力関係の構築や各社の経営ノウハウを活用した地域に根ざした店舗づくりの推進等の施策を実施することで、その効果を追求するとともに、決済にかかる金融関連サービスの導入を検討してまいります。なお、業務提携の具体的な方針及び内容等につきましては、今後、当事会社間で協議を進める予定です。

３．資本・業務提携先の概要

　※添付の関連資料を参照

４．本件株式取得の概要
（１）取得株式数
　２，３１０，０００株（所有割合・議決権所有割合とも２０．００％）

（２）株式取得の日程
　平成２５年１２月１０日　資本・業務提携に関する基本合意書の締結、株式譲渡契約書の締結
　平成２６年１月３１日　株式取得日（予定）

５．今後の見通し
　当社の平成２６年２月期の連結業績に与える影響は軽微ですが、中長期的に当社業績の向上に資するものであります。


以上

シャープ、足もとの温度設定ができるママと赤ちゃんにやさしいエアコン８機種を発売

「Plasmacluster（＊１）」「高濃度プラズマクラスター２５０００（＊２）」
「足冷えまセンサー」と「ロングパネル気流制御」で足もとの温度設定ができる
ママと赤ちゃんにやさしいエアコン
プラズマクラスターエアコン＜SXシリーズ＞８機種を発売

　＊１・２「Plasmacluster」ロゴなどは添付の関連資料を参照

　シャープは、業界で初めて（※３）足もとの温度設定ができるプラズマクラスターエアコン＜SXシリーズ＞を発売します。手足の冷えが気になるママと床での生活が多い赤ちゃんにも快適で健康的な空調を提供する、ママと赤ちゃんにやさしいエアコンとして提案します。

　本機は、床面の温度を測る「足冷えまセンサー」を新たに搭載。温風の上昇を抑え床面に暖かい空気を届ける「ロングパネル気流制御」と合わせることで、業界で初めて（※３）足もとの温度設定に対応しました。リモコンの「足もと」ボタンを押すだけで、部屋全体の温度を上げ過ぎず足もとを効果的に暖めるとともに、約２０％の節電（※４）を実現しました。
　また、「高濃度プラズマクラスター２５０００（※２）」を活用した「部屋干しモード」を搭載。温度と湿度を制御し洗濯物が乾きやすい環境をつくり、プラズマクラスターイオンで部屋干しの嫌なニオイを抑えます（※５）。
　さらに、安心で便利な暮らしをアシストする「ココロエンジン」を搭載。暖房運転時には「暖房中に足もとボタンを押すと足もとをしっかり暖めます」、みはり機能の設定時に乾燥状態になると「お部屋が乾燥しています」など、快適な空間づくりのアドバイスや室内の温湿度情報をお知らせします。

　＊表資料は添付の関連資料を参照


■主な特長
　１．「足冷えまセンサー」と「ロングパネル気流制御」の搭載により、業界で初めて（※３）足もとの温度設定に対応し、約２０％の節電（※４）を実現
　２．洗濯物を乾かしやすく、嫌なニオイを抑える（※５）「部屋干しモード」を搭載
　３．安心で便利な暮らしをアシストする「ココロエンジン」を搭載

　※１　プラズマクラスターロゴ（図形）およびプラズマクラスター、Plasmaclusterはシャープ株式会社の登録商標です。
　※２　当技術マークの数字は、高濃度プラズマクラスターイオン発生デバイス搭載のエアコンを適用床面積の部屋に設置し、風量最大運転時に部屋の中央付近（床上から高さ１．２m）の地点で測定した空中に吹き出される１cm３当たりのイオン個数の目安です。
　※３　国内家庭用エアコンにおいて、足もとの温度を設定できる機能。当社調べ。２０１３年１２月１０日現在。
　※４　AY－D４０SX。当社試験室（１４畳）にて。外気温２℃、暖房運転・設定温度２３℃で運転開始から４時間（運転安定時）の積算消費電力量を、足もと設定あり・上下風向自動（４８１０Wh）と足もと設定なし・上下風向水平（６０４０Wh）とで比較。
　※５　●試験機関：当社調べ●試験方法：吹き出し口から約１mの位置に、部屋干し衣類の生乾きのニオイ成分を付着させた布片を吊るし、「部屋干しモード」にて２時間運転し、プラズマクラスターイオンを照射し、脱臭効果を６段階臭気強度表示法にて評価。●試験結果：気にならないレベルまで脱臭。（付着しているニオイの種類・強さ・対象物の素材などによって、ニオイ除去効果は異なります）


　＊以下、リリースの詳細は添付の関連資料を参照


【お問い合わせ先】
　お客様：お客様相談センターフリーダイヤル　０１２０－０７８－１７８

JFEスチール、加工性を高めた新高炭素熱延鋼板「スーパーホット－G」を開発

飛躍的に加工性を高めた新高炭素熱延鋼板『スーパーホット－G』を開発
～薄板プレス化を拡大する『スーパーホット』シリーズのラインナップ拡充～


　当社はこのたび、炭素含有量０．３５％のJIS機械構造用炭素鋼（S３５C）と比べて加工性を飛躍的に高めた新高炭素熱延鋼板『スーパーホット－G』を開発しました。熱延鋼板でありながら、板厚３mmで±０．０８mmの厚さ許容差という、冷延鋼板に匹敵する良好な板厚精度を有する『スーパーホット』シリーズの製品ラインナップを拡充しました。

　近年、環境対策としての自動車の軽量化に伴う部品の小型化および形状の複雑化が進む中、素材に対する高加工性ニーズが高まっています。鉄鋼製品の中でも炭素を多く含む「高炭素鋼板」は、焼入れ硬さを高めることができる反面、プレス成形時の加工性が低下するという特性がありますが、『スーパーホット－G』では、合金元素量の最適化と、熱間圧延工程における組織制御と球状化焼鈍（＊）の組み合わせにより、従来の高加工性型高炭素熱延鋼板（『スーパーホット－F』）を上回る超高加工性化と軟質化を実現しました（図１）。その上で、お客様での熱処理により、「S３５C」相当の焼入れ硬さを確保することができます（図２）。

　『スーパーホット－G』を適用することで、これまで薄板でのプレス成形が困難であった難成形部品を成形することが可能となります。また、複数の部品の一体化や、部品形状の自由度向上のニーズにもお応えすることができます。さらに、『スーパーホット－G』では、軟質化によってプレス時の成形荷重を低減できるため、従来の「S３５C」に比べると金型への負荷軽減と金型寿命の延長も期待できます。

　当社は今後ともお客様のご要望に幅広くお応えすべく、加工性をはじめとして、より付加価値の高い高炭素熱延鋼板の開発につとめてまいります。



　（＊）球状化焼鈍：板状の鉄炭化物を安定な球状の形態へ変化させるための焼きなまし処理のこと。

東北大、アルバックと直径１１nmまでのサイズの磁気トンネル接合素子作製に成功

高不揮発性・低消費電力CoFeB－MgO磁気トンネル接合の実現
―高集積スピントロニクス素子の実用化に前進―


【研究概要】
　国立大学法人東北大学（総長：里見進／以下、東北大学）省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンターの大野英男センター長（同大学電気通信研究所・教授、原子分子材料科学高等研究機構・主任研究者、国際集積エレクトロニクス研究開発センター・教授兼任）のグループは、株式会社アルバック（代表取締役執行役員社長：小日向久治）との産学連携研究により、直径１１nmまでのサイズの磁気トンネル接合素子を作製することに成功しました。また、同東北大学のグループが開発した材料を用いた磁気トンネル接合で、直径２０nm以下のサイズまで微細化しても不揮発性と低消費電力が両立できることを世界で初めて実証しました。本研究により、既存の半導体メモリ（RAM）では微細化が困難であると予測されている２０nm以下の技術世代で、磁気トンネル接合を用いた不揮発性スピントロニクスメモリを実現できることが分かりました。

【研究の背景】
　半導体を利用したメモリ（注１）は、dynamic　random　access　memory（DRAM）やstatic　random　access　memory（SRAM）が挙げられ、これらは単体メモリとしての応用だけではなく、集積回路中に混載してキャッシュメモリとしても使われています。これらの半導体メモリは、素子のサイズを小さくすることにより、大容量化・高機能化を実現してきましたが、テクノロジーノード（注２）が２０nm以下の世代までの微細化は難しいと予測されています。これらの各種半導体メモリは電子の電気的性質を利用して成り立っていますが、電子には磁気（スピン）という性質もあり、これらの二つの性質を上手く融合したものがスピントロニクス素子です。
　スピントロニクス素子の代表格である磁気トンネル接合（注３）は、素子構造が単純で占める面積が小さいために高集積化（大容量化）に適しています。また、高速書き込み・読み出しが可能であり、原理的には書き換え回数に制限がありません。これらは既存の半導体メモリが有する特徴ですが、加えて磁気トンネル接合を用いたメモリは、磁石の性質を用いて情報を記憶するために、情報保持に電力が不要な不揮発性を有します。つまり、磁気トンネル接合を用いたメモリを実現できると、これまでの半導体メモリの利点を損なうことなく、待機電力を劇的に低減したメモリを実現できると期待されます。
　磁気トンネル接合を用いたメモリを実現するためには、半導体デバイスの微細化に応じて、不揮発性と低消費電力を維持しながら、素子のサイズを微細化する必要があります。これまで磁気トンネル接合を用いた不揮発メモリに関する研究は、世界中の半導体メーカー・大学・研究機関で行われて来ましたが、半導体メモリの実現が難しいと予測される２０nm以下のテクノロジーノードに適用できるサイズで、高い不揮発性と低消費電力を有する磁気トンネル接合を実現した報告はありませんでした。


【研究成果】
　今回、東北大学は、株式会社アルバックとの産学連携により直径１１nmまでのサイズの磁気トンネル接合を作製するプロセス技術を開発し、同東北大学のグループで開発した高い不揮発性と低消費電力を実現できる２重CoFeB－MgO（注４）界面構造を有する垂直磁化容易磁気トンネル接合を作製しました。作製した磁気トンネル接合は、直径２０nmで世界最高の不揮発性能（熱安定性（注５）Δ＝５８）、高トンネル磁気抵抗比（注６）（TMR比＝１２０％）と低書き込み電流（書込み電流値＝２４μA）を示すことが分かりました。本研究により、磁気トンネル接合を利用したスピントロニクス素子を用いて、半導体メモリでは実現が困難であると予測されている２０nm以下のテクノロジーノードで、不揮発メモリを実現できることを世界で初めて示したことになります。これによってスピントロニクス素子を用いたメモリの実用化がより一層現実的なものになりました。


【研究の意義】
　本研究によって、既存半導体メモリでは微細化が難しい２０nm以下のテクノロジーノードで、スピントロニクス素子である磁気トンネル接合を用いた不揮発メモリを実現可能であることが分かりました。これによって、スピントロニクス素子を用いた大容量メモリの実現に向けて大きく前進したと考えられます。
　なお、東北大学は今回の成果を、１２月９日から１１日まで米国ワシントンDCで開催される半導体デバイス技術の国際学会「２０１３　International　Electron　Device　Meeting」において、９日に発表しました。

　本成果は、内閣府『最先端研究開発支援プログラム』（題名：「省エネルギー・スピントロニクス論理集積回路の研究開発」）、及び文部科学省『次世代IT基盤構築のための研究開発』（題名：「耐災害性に優れた安心・安全社会のためのスピントロニクス材料・デバイス基盤技術の研究開発」）によって得られたものです。


【用語解説】
　（注１）半導体を利用したメモリ
　　電子の持つ電気的性質（電荷）を利用した情報を一時的に記憶するデバイスのことです。集積回路のメインメモリなどに使われているDRAMは、キャパシターにおける電荷の充電状態で情報を記憶し、安定動作のためにはキャパシターは十分な静電容量を有している必要があります。キャパシターは集積回路中に溝を掘って形成され、この溝の深さを増すことでこれまでは微細化に伴う静電容量の減少に対応してきましたが、現在その加工限界が近づいています。またSRAMも微細化に伴うしきい電圧のばらつきの増大により、回路動作マージンの確保が難しくなっています。

　（注２）テクノロジーノード
　　半導体デバイスの技術世代のこと指します。これまで、テクノロジーノードの微細化に伴い、半導体デバイスは高集積化と高機能化を実現してきました。しかし、半導体メモリであるDRAMやSRMAは２０nm以下の世代までの微細化は困難であると予測されています。nmは１０の－９乗メートルのこと。

　（注３）磁気トンネル接合素子
　　磁石の性質を持つ強磁性体２枚で絶縁体を挟んだ強磁性層／絶縁層／強磁性層の３層構造を基本とした素子のことを指します。２枚の強磁性体の磁石の相対的な向きが平行な場合には抵抗が低くなり、反平行な場合には抵抗が高くなるトンネル磁気抵抗効果を示します。

　（注４）Co（コバルト）Fe（鉄）B（ボロン）－MgO（酸化マグネシウム）
　　２００８年に東北大学のグループが室温での世界最大の磁気抵抗比を得ることに成功した材料です。また、２０１０年には同東北大学のグループが、CoFeBとMgOの界面に発生する特殊な磁気異方性に着目し、CoFeBの膜厚を薄くすることで、世界で初めて垂直磁化容易軸を有するCoFeB－MgO積層膜を用いて磁気トンネル接合を作製し、直径４０nmの磁気トンネル接合が高い性能を示すことを実証しました。また、同グループはこの構造を更に工夫し、２つのCoFeB－MgO界面を用いた構造で書き込み電流を増加させることなく、不揮発性を向上させることにも成功しています。

　（注５）熱安定性
　　不揮発性能（情報保持時間）を評価するときに用いられる性能指数のことを指します。２枚の強磁性体の磁石の向きが平行（反平行）状態から反平行（平行）状態に遷移する際の障壁高さEを熱エネルギーkBT（※）で除した形（E／kBT）で表されます。

　※「kBT」の正式表記は、添付の関連資料を参照


　（注６）トンネル磁気抵抗比
　　磁気トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗効果の性能を評価する際に用いられる性能指数です。２枚の強磁性体の磁石の向きが反平行の場合の抵抗をRAP（※）、平行の場合の抵抗をRP（※）と表すと、（RAP－RP）／RPで表されます。

東北大と京大、線幅２０nm磁壁移動メモリ素子の動作を実証

線幅２０nm磁壁移動メモリ素子の動作を実証
～優れた微細化特性と高速・低消費電力性能を確認～


【概要】
　国立大学法人東北大学（以下、東北大学）省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンターの大野英男センター長（同大学電気通信研究所・教授、原子分子材料科学高等研究機構・主任研究者、国際集積エレクトロニクス研究開発センター・教授兼任）のグループは、国立大学法人京都大学（以下、京都大学）化学研究所の小野輝男教授らのグループとの共同研究により、スピントロニクス論理集積回路への適用が期待されている磁壁移動メモリ素子の試作・評価を行い、当素子が非常に優れた微細化特性（スケーラビリティ）と高速・低消費電力性能を有していることを明らかにしました。今回同グループは磁壁移動素子としては世界最小となる線幅２０nmの素子を作製し、良好な動作を確認するとともに、過去の報告値を一桁超下回る世界最小の電力で磁壁移動による情報の書き換えが可能であることを示しました。これらの成果は、磁壁移動素子が最先端、及び次世代の半導体論理集積回路との親和性に優れており、また当素子を混載したスピントロニクス論理集積回路が多彩な応用へと展開できる汎用性の高い技術であることを意味しています。

【背景と課題】
　小さくすれば性能が上がる―この原理のもとで半導体論理集積回路は数十年に渡って目覚ましい発展を遂げてきました。しかし現在、「これ以上小さくしても性能が上がらない」（注１）あるいは「これ以上小さく作れない」（注２）という新たな局面を迎えつつあります。これらの諸問題は主に、現在の半導体論理集積回路が電子の持つ電気的性質に立脚していることに起因しています。このような中注目されているのがスピントロニクス論理集積回路です。スピントロニクス論理集積回路においては、半導体論理集積回路が築き上げてきた優れた特性は継承しながら、待機電力と動作安定性の問題が顕在化しつつある記憶機能に関しては、電子の持つ磁気的性質（スピン）を活用した不揮発性スピントロニクス素子（注３）で置き換えます。これによってこれまで通りの「小さくすることで性能を上げる」というスキームを継続でき、同時にスピントロニクス素子の持つ情報保持に電力が不要な不揮発性という特長によって消費電力を劇的に低減することができます。
　３端子型磁壁移動メモリ素子（注４）はスピントロニクス素子の一形態ですが、高速・高信頼動作が可能なことから、従来の論理集積回路においてSRAM（注５）が担っていたようなキャッシュメモリやロジック周辺の一時記憶回路への適用が期待されています。これまでに線幅１００nm程度の磁壁移動素子において、良好な動作や高い信頼性が確認されていました。
　半導体論理集積回路の回路パターンの微細化は年々進行しており、現在は３２～１６nm程度が研究開発の最前線となっています。従ってスピントロニクス素子を最先端、及び次世代の半導体集積回路に適用するためには、良好な特性を維持しながらこのような微細なサイズにまで素子を縮小できること（スケーラビリティ）が求められますが、磁壁移動素子については今までのところこのような観点での研究は十分にはなされていませんでした。

【研究手法と成果】
　今回、東北大学、京都大学の研究グループは、様々な線幅の磁壁移動素子を作製し、磁壁移動特性や磁壁の熱安定性、及びその素子サイズ依存性を評価しました。そして、これまでの報告を遥かに下回る線幅２０nmの素子において、良好な動作を確認しました。またデバイス特性の素子サイズ依存性の評価から、当素子が以下に示すような非常に優れたスケーラビリティを有していることを明らかにしました。
　１）情報の書き換えに要する電流は微細化に伴いほぼ線形に減少する。
　２）情報の書き換えに要する時間も微細化に伴いほぼ線形に減少する。
　３）情報保持特性（熱安定性）は素子のサイズに関わらず十分な値を維持できる。
　４）書き換え誤動作確率についても素子のサイズに関わらず極めて低い値に抑えられる。
　得られた実験結果をもとに、情報の書き換えの際に１ビットの磁壁移動素子で消費されるエネルギーを見積もったところ、線幅が２０nmの素子では１．８fJ（フェムトジュール）という値が得られました。これは、過去に報告されていたスピントロニクス素子での書き換えエネルギーの最小値（９０fJ）の１／５０であり、SRAMの１ビットのセルの書き換えエネルギーと同等に小さい値であります。このことから、磁壁移動素子は待機時の消費電力だけでなく、動作時の消費電力という観点でも非常に有望な技術であることが分かりました。

【研究成果の意義】
　今回得られた成果は二つの意義を有しています。その一つ目は、磁壁移動メモリ素子が最先端、及び次世代の半導体論理集積回路との親和性に優れた技術であるという点です。すなわち磁壁移動メモリ素子を混載したスピントロニクス論理集積回路では、「小さくすれば性能が上がる」という半導体回路の特長を引き続き享受することができます。二つ目は、微細世代における書き換え消費電力が数fJと従来の半導体回路技術並みに小さいという点です。これは磁壁移動メモリ素子を混載したスピントロニクス論理集積回路が多くのアプリケーションに展開できる汎用性の高い技術であることを意味しています。

　なお、当グループは今回の成果を、１２月９日から１１日まで米国ワシントンDCで開催される半導体デバイス技術の国際学会「２０１３　IEEE　International　Electron　Devices　Meeting」において、９日に発表しました。

　本成果は、内閣府『最先端研究開発支援プログラム』（題名：「省エネルギー・スピントロニクス論理集積回路の研究開発」）、及び文部科学省『次世代IT基盤構築のための研究開発』（題名：「耐災害性に優れた安心・安全社会のためのスピントロニクス材料・デバイス基盤技術の研究開発」）の支援により得られたものです。


　（注１）半導体論理集積回路の最も重要な構成要素であるMOSトランジスタにおいては微細化によりリーク電流が増大しており、その結果最近の集積回路では待機時（非動作時）の消費電力の増大が深刻化しています。また現在の半導体論理集積回路では演算を司るロジック部と記憶を司るメモリ部がグローバル配線で接続されて別々に配置されていますが、微細化（高集積化）に伴う扱う情報量の増加により配線数、配線長が増大しており、結果として情報転送の際の充放電に伴う電力の消費や配線遅延による処理速度向上の頭打ちの問題も顕在化してきています。

　（注２）集積回路のメインメモリなどに使われているDRAM（注５）は、キャパシターにおける電荷の充電状態で情報を記憶し、安定動作のためにはキャパシターは十分な静電容量を有している必要があります。キャパシターは集積回路中に溝を掘って形成され、この溝の深さを増すことでこれまでは微細化に伴う静電容量の減少に対応してきましたが、現在その加工限界が近づいています。またSRAMも微細化に伴うしきい電圧のばらつきの増大により、回路動作マージンの確保が難しくなっています。

　（注３）SRAMやDRAMは情報の保持のためには電源電圧を供給し続ける必要がありますが（揮発性）、スピントロニクス素子では電源が遮断されても記憶情報を保持し続けることができます。このような性質を「不揮発性」と言います。揮発性のメモリを不揮発性のメモリで置き換えることで待機時の消費電力を劇的に低減することができます。

　（注４）強磁性体において磁化方向の揃った領域のことを磁区と言い、磁区と磁区の境界領域のことを磁壁と言います。磁壁を貫通する方向に電流を流すと、角運動量保存則と量子力学的な効果から磁壁が伝導電子の方向に移動することが知られており、これを電流誘起磁壁移動と言います。３端子磁壁移動素子においては電流誘起磁壁移動によって強磁性細線中の磁化の方向を反転させることで情報の書き込みを行います。また情報を読み出す際にはトンネル磁気抵抗効果を利用します。３端子磁壁移動素子では読み出しと書き込みで電流経路が異なるのが特徴であり、これによって大きな動作マージンが得られるため、高速で信頼性の高い動作が実現できます。

　（注５）SRAM＝Static　Random　Access　Memory、DRAM＝Dynamic　Random　Access　Memory。

産総研と東工大など、InGaAsトランジスタの性能向上のための新構造を開発 I

InGaAsトランジスタの性能向上のための新構造を開発
－集積回路の大幅な低消費電力化に期待－


＜ポイント＞
　・選択エピタキシャル成長で、表面が（１１１）B面の立体構造を形成、電子移動度が２倍に
　・より低い電圧でも従来と同等のトランジスタ性能を得ることが可能
　・最先端研究開発支援プログラム（FIRST）のプロジェクト「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」の助成による成果

＜概要＞
　独立行政法人　産業技術総合研究所【理事長　中鉢　良治】（以下「産総研」という）ナノエレクトロニクス研究部門（http://unit.aist.go.jp/neri/）【研究部門長　金丸　正剛】連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター【連携研究体長　横山　直樹】入沢　寿史　特定集中研究専門員らは、国立大学法人　東京工業大学【学長　三島　良直】（以下「東工大」という）電子物理工学専攻　宮本　恭幸　教授、住友化学株式会社【代表取締役社長　十倉　雅和】（以下、「住友化学」という）と共同で、新構造の採用により性能を従来から２倍向上させたインジウムガリウムヒ素（InGaAs）トランジスタを開発した。

　四角形断面を持つInGaAsの立体構造上に、適切な条件でInGaAsを再成長させて、両斜面が（１１１）B面である三角形断面の立体構造を作製した。この立体構造をチャネルとしたトランジスタは、（１１１）B面に起因する高移動度と、再成長時の表面平坦化により、従来のInGaAsトランジスタの２倍の電子移動度を示した。これにより、トランジスタの動作電圧を下げられるので、従来の四角形断面構造に比べ、集積回路の消費電力が最大で６割程度低減することが期待される。

　なお、この技術の詳細は、平成２５年１２月９～１１日（現地時間）に米国ワシントンD．C．で開催されるInternational　Electron　Device　Meeting（IEDM）で発表される。

　※参考画像は、添付の関連資料を参照

＜開発の社会的背景＞
　携帯情報端末の爆発的な普及やIT機器の高機能化に伴う消費電力の増大により、電子情報機器の消費電力低減が求められている。そのためには、これらに搭載されている大規模集積回路（LSI）を構成する個々のトランジスタに供給する電圧（電源電圧）を低くすることが重要である。これまで、電源電圧は徐々に下げられてきたが、近年、１V程度で飽和しつつあり、２０１６年の予測でも０．８V～０．６Vに留まる。これは、従来のトランジスタの材料であるシリコン（Si）の物性や平面型のトランジスタ構造による限界に近づいてきたためである。そこで、Siより電子の移動度の高いInGaAsなどのIII－V族化合物半導体を導入し、さらに、FinFETなど、立体的なゲート構造を採用して上記限界を下回る電源電圧を達成するための研究開発が活発化している。

＜研究の経緯＞
　連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター（GNC）は、内閣府と独立行政法人　日本学術振興会によって運営される最先端研究開発支援プログラム（FIRST）に採択されたプロジェクトを実施するために平成２２年４月に設立された。企業５社（富士通株式会社、株式会社　東芝、株式会社　日立製作所、ルネサスエレクトロニクス株式会社、株式会社　アルバック）からの出向研究者と産総研研究者によって構成されている。GNCでは平成２３年度より、LSIの低電圧動作を目指して、高移動度材料であるゲルマニウム（Ge）やInGaAsを用いたMOSFETの高性能化に関する研究開発を行ってきた。

　なお、本研究成果は、FIRSTのプロジェクト「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」の助成により得られたものである。また、InGaAs基板の開発、作製は住友化学との共同研究により行った。さらに、InGaAs再成長による三角形断面のチャネルの形成は東工大　宮本　恭幸　教授との共同研究により行った。

＜研究の内容＞
　通常、InGaAs基板の表面の面方位は（００１）面であるが、（１１１）A面を用いると電子移動度が高くなることが報告されていた。今回、エピタキシャル成長時に（１１１）A面より出現しやすい（１１１）B面上の電子移動度が（００１）面上より大きくなることを発見した。トランジスタの電流駆動力増大に有利な（１１１）B面の利用を、オフ時のリーク電流を抑制するための立体チャネル構造と組み合わせるため、図１に示すような三角形断面のチャネルを持つトランジスタを作製した。初めに（００１）リン化インジウム（InP）基板の（００１）面上にInGaAs薄膜をエピタキシャル成長させ、Si基板上の絶縁膜に貼り合わせた。塩酸によってInP基板だけを選択的にエッチングすると、通常の（００１）表面を持つInGaAs薄膜が残る。この薄膜を微細な長方形断面の立体構造（InGaAs－fin）に加工したのち、その上に、適切な条件でInGaAsをエピタキシャル成長させると、両斜面が（１１１）B面である三角形断面の立体チャネル構造が得られた。この時、下地の絶縁膜上にはInGaAsが成長せず、InGaAs－fin上にだけ選択的に成長させることができた。

　※図１は、添付の関連資料を参照

　当初、InGaAs－fin上にはリソグラフィーやエッチング工程に起因する幅の不均一が存在したが、InGaAsの成長過程で平坦化されることも分かった（図２）。（１１１）B面上の成長速度が他の面上より遅く、（１１１）B面が広範囲に形成されるため、平坦化されると考えられる。なお、InGaAs－finの向きにより、表面が（１１０）面である類似の立体構造も形成されるが、（１１１）B面上の移動度の方が高かった（図３）。

　※図２は、添付の関連資料を参照

　この（１１１）B面三角形断面チャネル上にゲート絶縁膜（酸化アルミニウム、Al２O３）とゲート電極（窒化タンタル、TaN）を形成し、ニッケル（Ni）－InGaAs合金のソース、ドレイン電極を形成した。図４（a）に示すように、動作電圧相当の電子密度（～１×１０１３cm－２）では、従来の四角形断面チャネルのInGaAs－FinFET（従来型FinFET）の２倍の電子移動度が得られた。移動度が増大したため、図４（b）に示すように、チャネル長が３００nmのトランジスタでは電流が７２％増大した。これにより、同一の動作速度を得るための電圧を、従来型FinFETより低くできるので、電圧の２乗に比例する動作時の消費電力を大幅に低減することができる。例えば、電圧１V動作の従来型FinFETに比べて、消費電力を最大で５７％低減できる。また、ノイズも従来型FinFETに比べて５分の１程度に低減した。このような移動度の向上やノイズの低減は、（１１１）B面の高移動度と、図１に示したような、表面平坦化の効果と考えられる。さらに、この表面平坦化は、トランジスタの電気特性のばらつき抑制にも寄与することが期待される。

　※図４は、添付の関連資料を参照

＜今後の予定＞
　今後はp型トランジスタの高性能化に適したゲルマニウム（Ge）の立体チャネルトランジスタと組み合わせ、CMOS回路としての動作を検証していく。トランジスタ単体の性能だけでなく、Si－CMOS回路を上回る回路性能、あるいは低消費電力化を目指す。

東大、極低消費電力回路を実現できるトンネル電流利用の新トランジスタを開発

極低消費電力回路を実現できるトンネル電流を利用した新トランジスタを開発


１．発表者：
　高木信一（東京大学大学院工学系研究科　電気系工学専攻　教授）
　竹中充（東京大学大学院工学系研究科　電気系工学専攻　准教授）

２．発表のポイント：
　◆従来のトランジスタと比べ極めて低い０．３V程度の電圧で動作しうる、トンネル電流を用いた新しいトランジスタの開発に成功した。
　◆亜鉛を用いた新しい接合形成技術により、これまでのトランジスタとほぼ同等の構造のままで、高い性能をもつトンネル電流トランジスタを実現した。
　◆従来のトランジスタでは実現できない０．３V以下の低電圧で動作する集積回路への道を拓き、IT機器の大幅な省電力化をもたらすと共にバッテリー不要なLSI（注１）など新しい応用を可能にする。

３．発表概要：
　IT機器が消費する電力は近年急激な増加を示しており、２０２５年には現在の約５倍、国内総電力量の２０％を消費すると試算されています。そのような試算に基づき、集積回路の低電圧化の限界とIT機器の消費エネルギーの増大は、現在、重大な課題となっています。
　今回、東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻の高木信一　教授と竹中充准教授は、住友化学株式会社（代表取締役社長　十倉　雅和）との共同研究により、極低電圧での動作が可能な新しいトンネル電流トランジスタ（注２）の開発に成功しました。従来のMOSトランジスタ（注３）とほぼ同等の素子構造を用いながら、亜鉛の拡散による急峻な不純物分布を持つ接合を導入することで、新しいトンネル電流トランジスタを実現し、ゲート電圧のわずかな変化により大きな電流変化をもたらすと共に、素子のオン状態とオフ状態での電流比を世界最高値にまで高めることに成功しました。
　この素子を用いることで、従来のトランジスタでは実現できない０．３V以下の低電圧で動作する集積回路への道を拓き、IT機器の大幅な省電力化をもたらすと共にバッテリー不要なLSIなど新しい応用を可能にすると期待されます。
　なお、本研究の一部は、独立行政法人科学技術振興機構のCREST・研究領域「素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成」（極低消費電力集積回路のためのトンネルMOSFETテクノロジーの構築）の支援を受けて行われました。

４．発表内容：
（１）研究の背景・先行研究における問題点
　IT機器が消費する電力は近年急激な増加を示しており、２０２５年には現在の約５倍、国内総電力量の２０％を消費すると試算されています。IT機器の消費電力の多くは、LSIチップに起因していることから、エネルギー利用の飛躍的な高効率化を実現するためには、LSIチップの論理演算に使われているMOSトランジスタの消費電力の低減、特に電源電圧の低減が焦眉の課題となっています。しかしながら、論理演算において信号のオン・オフを司るこれまでのMOSトランジスタでは、原理的にオン状態とオフ状態の電流をわずかな電圧変化で切り替えることができず、本質的に電源電圧を下げられないという問題がありました。
　この問題を解決するために、これまでのMOSトランジスタにおける電流のオン・オフ機構と原理の異なる新しい素子が必要とされています。このような新原理の素子として、電子がエネルギー障壁を量子力学的にトンネリングする際のトンネル電流を利用し、これをゲート電極により制御するトンネル電界効果トランジスタ（トンネルFET）が、近年注目され始めています。しかしながら、トンネルFETはまだ研究途上にあり、これまでの報告例では、電流をわずかな電圧変化で急峻に切り替えようとしても、オン電流とオフ電流の差を大きくとることができないという問題がありました。またこれまでの多くのトンネルFETでは、縦型構造など従来のMOSトランジスタとは異なる素子構造が取られるため、現在の半導体技術を転用しにくく作製が困難という問題もありました。

（２）研究内容
　トンネルFETにおいて、オン電流とオフ電流の差を大きくとるためには、電子の量子力学的トンネリング（注３）を起こすエネルギー障壁の幅を非常に薄くすること、更にこのトンネル電流を大きくすることができる材料上の工夫が必要です。そこで今回、研究グループはInGaAs（In：インジウム、Ga：ガリウム、As：ヒ素）というバンドギャップが狭くトンネリングを起こしやすい材料を使用すると共に、トンネルFETにおいてトンネリングを起こすソース側のpn接合（注６）を、亜鉛の拡散により形成することにより、現在主流で用いられているトランジスタと同様のMOS型かつ横型（プレーナ）構造を用いながらも、極めて薄いエネルギー障壁幅を形成することに成功し、わずかな電圧変化で急峻に電流を切り替えることと、大きなオン電流とオフ電流の比を得ることの両方を、同時に実現することに成功しました。
　InGaAs中での亜鉛の独自の拡散挙動により、亜鉛は、亜鉛濃度の高い部分では高い拡散係数を、濃度の低い部分では低い拡散係数を持ちます。この結果として、InGaAs中に亜鉛を固層拡散すると、自動的に極めて急峻な不純物分布が形成され、この結果、極めて薄いエネルギー障壁幅を有するpn接合が形成できることを初めて見出すと共に、この現象を高性能のトンネルFETの特性実現に結びつけることに成功しました。結果として、S係数（注４）と呼ばれる電流変化の急峻性の尺度で６４mV／decade、またオン電流とオフ電流の比として２x１０６というこれまでのトンネルFETで最も大きい値を実現しました。
　トンネルFETは、現在、将来の極低消費電力集積回路に必須の素子として世界的に認知されているため、その研究開発は、世界的な企業・国立研究機関・大学などの間で、しのぎを削る開発研究が現在進められています。今回の研究成果は、これまでインテルやベルギーの研究機関imec、カリフォルニア大学バークレー校、スタンフォード大学などから報告されているトンネルFETの特性を上回る性能を実現しています。

（３）社会的意義・今後の予定
　現在、データセンターやIT機器の消費電力削減と問題と省エネルギーの必要性は、明白な国際的な課題となっております。このため、これまでのトランジスタの電力を大きく削減できるトンネルFETが実用化されれば、集積回路技術に与えるインパクトは極めて大きいと言えます。特に、現在のSiトランジスタ工程と整合性のよい方式を実現できれば、トンネルFETは、現存する半導体製造工程に直ちに組み込まれ、現在のSi　MOSトランジスタとも容易に集積化され、爆発的に用途や適用例が拡大してことが期待されます。特に、トンネルFET技術は、これまでの半導体分野の進展を支えてきた微細化に頼ることなく低消費電力化が実現できるため、現在曲がり角を迎えている微細化の課題を解決し、特に日本の半導体産業の活性化と再生につながる重要な技術となる可能性を秘めていると言えます。
　一方、製品応用に目を転じると、極低消費電力素子が必要な分野は既に多く存在し、センサーネットワークや自ら発電をする集積回路など、消費電力を極限的に下げることへの要請は数多く存在しているため、トンネルFETの実用化により、これまでの半導体集積回路技術では実現できなかった新たな応用分野や市場が出現、拡大し、結果として、半導体集積回路の応用領域が大きく広がっていくことが期待されます。

５．発表雑誌：
　本研究内容は、国際会議“２０１３　International　Electron　Device　Meeting”（IEDM　２０１３）
　（２０１３年１２月９日～１１日、米国・Washington　DC．）において、２０１３年１２月１１日午前９：０５－９：３０に以下の著者とタイトルで発表を予定しております。
　M．Noguchi，S．Kim，M．Yokoyama，O．Ichikawa，T．Osada，M．Hata，M．Takenaka，S．Takagi，“High　Ion／Ioff　and　Low　Subthreshold　Slope　Planar－Type　InGaAs　Tunnel　FETs　with　Zn－Diffused　Source　Junctions”

阪大など、半導体デバイス性能予測シミュレーターの超高速化に成功

半導体デバイス性能予測シミュレーターの超高速化に成功
～計算量を従来の１，０００分の１以下に削減～


＜ポイント＞
　○極微細な半導体ナノデバイスの電気的な特性を予測するには、量子力学的な効果を取り入れた複雑な計算に多くの時間がかかるため、回路設計に応用することは困難であった。
　○新方式のシミュレーターでは、計算量を従来の１，０００分の１以下に削減し、従来１年以上かかるような量子論的効果を含んだ計算を、通常のパソコン１台により数日でできるようになった。
　○ナノワイヤーやナノピラーなど新しいデバイスの回路設計に応用できると期待される。


　JST　課題達成型基礎研究の一環として、大阪大学　大学院工学研究科　森　伸也　准教授とミリニコフ・ゲナディ　特任研究員らは、半導体デバイスの特性を原子レベルから計算できる新しいデバイスシミュレーターを開発しました。
　現在の半導体集積回路の技術的・経済的な限界を打破するため、世界中で新しい構造、新しい材料のデバイスが数多く提案されています。その中から、実用に適した構造や材料を効率的に見つけ出すには、性能を予測するシミュレーターが必要です。ナノメートル（ナノは１０億分の１）のサイズでは、量子論的な効果が性能に大きく影響するため、その効果を取り入れたシミュレーション技術の開発が盛んに行われています。しかし、現在提案されているいずれの方法も複雑な計算に多くの時間がかかるため、回路設計に応用することは困難でした。
　今回研究グループは、ある特定のエネルギーの電子についてのみ計算し、さらに原子配置が乱れる部分は乱れの大きさを表すパラメーター１個のみをばらつき計算に使用することで高速化する新しい計算モデルを開発しました。その結果、従来１年以上かかるような原子論に基づく半導体集積回路の性能予測が、通常のパソコン１台の能力で数日あれば計算可能になりました。必要な計算量は従来の１，０００分の１以下に削減されています。
　この成果は、将来のナノワイヤー（電気を通すナノレベルの細線）やナノピラー（柱上のナノ構造）などの新しい構造のナノデバイスから構成される集積回路の設計に応用できると期待されるほか、さまざまなシミュレーション結果はさらに微細化して行く次世代の半導体集積回路の新たな設計指針の構築に貢献するものと期待されます。
　今回の研究成果は、アメリカのワシントンで１２月９日～１１日（現地時間）に開催される「国際電子デバイス会議（IEEE　International　Electron　Devices　Meeting；IEDM）」で発表されます。


　本成果は、以下の事業・研究領域・研究課題によって得られました。
　　戦略的創造研究推進事業　チーム型研究（CREST）
　　　研究領域：「次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究」
　　　　　　　　　　（研究総括：渡辺　久恒（株）EUVL基盤開発センター　代表取締役社長）
　　　研究課題名：「原子論から始まる統合シミュレーターの開発」
　　　研究代表者：森　伸也（大阪大学　大学院工学研究科　准教授）
　　　研究期間：平成２１年１０月～平成２７年３月
　JSTはこの領域で、微細化パラダイムのみでは実現できない機能・性能を持つ、革新的かつ実用化可能なエレクトロニクスデバイスを創製するための材料・構造の開発およびプロセス開発を行っています。上記研究課題では、膨大な計算時間を要する原子論的電子輸送シミュレーションを新しい計算アルゴリズム（R行列理論）の導入により短時間処理を可能とし、電子輸送シミュレーション、フォノン輸送シミュレーション、回路シミュレーションを統合したシミュレーターの開発を行っています。


＜研究の背景と経緯＞
　半導体デバイス技術の発展は目覚ましく、ナノメートルレベルでの微細加工によりデバイスを高性能化・高密度化してきました。しかし、微細化が進むにつれリーク電流や開発コストなどの問題が顕著化し、さらに、デバイスサイズの縮小のみによる高性能化が困難になってきました。この限界を打破するため、従来の平面型シリコンMOS型トランジスター（注１）に替わる、新しい構造・新しい材料のデバイスが数多く提案されています。多くの選択肢の中から、次世代デバイスとして実用に最も適した構造や材料を効率的に見つけ出すには、その性能を高速で予測できるシミュレーターが必要です。
　これまでのシミュレーションでは、電子を古典的な粒子と考え、半導体デバイスをシリコン原子の集合体としてではなく、それらを平均化した連続体（注２）として扱っていました。しかし、極めて微細な世界では、量子閉じ込め効果（注３）やトンネル効果（注４）などの量子力学的な効果のため電子を古典的な粒子として考えることが、もはやできません。さらに、デバイスがナノメートルのサイズになると原子の構造がデバイスの特性に大きな影響を及ぼし、連続体モデルでは説明ができなくなります。シリコン原子のわずかな配置の乱れや、１個の不純物の位置の違いにより、作製されたデバイスごとに特性が大きくばらつくことが問題となっています。このため、大きなサイズの性能予測シミュレーションでは、ナノメートルサイズの性能予測をすることは極めて困難です。
　このような背景のもと、量子論的な効果を取り入れたデバイスシミュレーション技術の開発が盛んに行われています。しかし、いずれの方法も複雑な計算に多くの時間がかかるため、半導体集積回路の設計に応用することは現在のところ困難です。また、回路設計に不可欠なデバイス特性のばらつきを解析するには、原子配置や不純物原子の位置が異なる多数のサンプルに関するシミュレーションを行う必要があり、さらに計算時間が必要となります。そのため、原子論に基づくシミュレーションでのばらつき解析は現実的には不可能と考えられてきました。


＜研究の内容＞
　本研究では、電気的特性の高速な計算手法の１つであるR行列非平衡グリーン関数法（注５）において、デバイスの電気的特性には関与しないエネルギーの電子についての計算を省略し、さらに個々のデバイスにおいて原子配置が乱れる部分は乱れの大きさを表すパラメーター１個のみをばらつき計算に使用することで高速化する、新しい計算モデルを開発しました。その結果、原子論的な効果を取り入れたナノデバイスの性能予測計算を、通常のパソコンで実行できるまでの高速化に成功しました（図１）。この高速化実現の鍵となる、従来必要だった計算の簡略化に関しては、最終的な計算結果であるデバイスの電気的特性に影響を及ぼさないことが、数学的に保証されています。
　本研究で開発したシミュレーターを用いると、直径４nm、ゲート長１０nm、全長３０nmのシリコンナノワイヤートランジスター１，０００個の伝達特性を、通常のパソコン１台を用いて、数日でシミュレーション可能です（図２）。この計算には従来１年以上の計算時間が必要となるため、現実的ではないと考えられてきました。さらに、パソコンを複数台用いる並列計算で、より短時間でばらつき解析が可能であり、また、スーパーコンピューターを利用すれば、さらに多くのサンプルのシミュレーションも可能です。
　この高速化により、ばらつきを抑制できるデバイス構造・材料の探索や、原子論に基づく電気的特性シミュレーターの集積回路設計への応用が進むものと期待されます。


＜今後の展開＞
　今後は、より現実的なナノ構造のデバイスについてのシミュレーションと実験データとの比較を行い、具体的な特性やシミュレーションの正しさを明らかにしていきます。また、トランジスター単体の性能予測だけでなく、複数のトランジスターから構成される電子回路としての性能を予測する回路シミュレーターや、電流によるトランジスター、配線の発熱を予測するシミュレーターなどとデータを連携することで、原子レベルから電子回路レベルまでの統合的シミュレーターの開発を行います。
　これらの結果は、さらに微細化して行く次世代の半導体集積デバイスの新たな設計指針の構築に貢献するものと期待されます。

セーラー万年筆、野球バットの素材を軸に有効利用した複合筆記具を発売

野球バットの素材を有効利用！エコな木軸のシャープペンシル＆ボールペン
複合筆記具『レフィーノ‐w（ダブリュー）』１２月１５日（日）発売！


　この度、セーラー万年筆株式会社（社長：中島義雄、本社：東京都江東区）は、新製品『レフィーノ‐w』を２０１３年１２月１５日（日）より、セーラー万年筆取扱文具店・百貨店で発売を開始します。


　牛革巻き複合筆記具「レフィーノ‐l（エル）」に続き、天然メープル（楓）を使った木軸の「レフィーノ‐w（ダブリュー）」ができました！

　国内大手スポーツ用品メーカーであるミズノグループの素材および技術協力により、野球バットの製造過程で適さない材料を有効活用。環境にも配慮したやさしい製品です。

　回転させるとシャープペンシル、黒・赤の油性ボールペンが切り替わる複合筆記具は、手帳やメモにも最適。同じものが二つとない、楓の自然な木目と、木の手触りが感じられます。


【製品スペック】
　品名：レフィーノ‐w（ダブリュー）
　希望小売価格：３，０００円＋消費税
　方式：シャープペンシル／回転ノック式
　　　　　ボールペン／回転式２色
　芯径：０．５mmHB
　芯色：油性ブラック・レッド
　ボール径：０．７mm
　蓋・胴：真鍮／メープル材
　本体サイズ：φ１３．７×１４０mm
　本体重量：３１．２g


　※製品画像は、添付の関連資料を参照


以上


　会社概要：セーラー万年筆株式会社（代表取締役社長　中島義雄）
　東証二部：証券コード７９９２
　〒１３５－８３１２　東京都江東区毛利２－１０－１８
　Tel：０３－３８４６－２６５１
　URL：http://www.sailor.co.jp

東芝エルイートレーディング、１０cmステレオスピーカーなど搭載のCDラジカセを発売

大口径１０cmステレオスピーカー搭載のCDラジオカセットレコーダーの発売について
－本体収納の薄型リモコン、カラオケに便利な「外部マイク端子」、「マイク音量調整」を装備－

　※製品画像は添付の関連資料を参照

　当社は、CDラジオカセットレコーダーの新製品TY－CDK７を１２月２０日より発売します。
　新製品は、CD、カセットテープを豊かな音量で再生できる大口径１０cmステレオスピーカーと２．５W×２chの高出力アンプを搭載しています。また、本体に収納できる薄型リモコンで、カセットテープの再生・早送り、ラジオの選局、CDの再生などを操作できます。カラオケに便利な「マイク入力端子」を本体前面に配置し、マイクの音量調整、選曲もリモコンで操作可能です。
　さらに、携帯音楽プレーヤーを接続して再生できる「外部入力端子」、４種類から選択できる「音質切替」、「CDリピート再生／プログラム再生／ランダム再生」ラジオの「オートスキャン選局」「プリセット選局」、おやすみ時に電源が切れる「おやすみタイマー」などの便利な機能を備えています。
　加えて、本体正面に離れた場所からでも見やすい「ブルーバックライト＆ホワイト文字液晶」を採用しています。明るく大きな文字のカセットテープのカウンター、放送局の周波数、CDの演奏時間が表示されます。他に、乾電池と家庭用AC電源のどちらでも使える「２電源対応」、移動に便利な大型ハンドル付きです。本体色は、シルバー、ホワイトの２色です。

　※参考画像は添付の関連資料を参照

＜新製品の仕様＞
　形名：TY－CDK７
　色：（S）シルバー、（W）ホワイト
　外形寸法（注１、注２）：幅３６４mm×高さ１５８mm×奥行２２０mm
　質量（注１）：約２．５kg（乾電池を除く）
　電源（注１）：AC１００V、５０／６０Hz
　　　　　　　　　DC１２V（単２形乾電池×８本、別売り）
　消費電力（注１）：１６W
　電池持続時間（注１）：CD再生時：約１１時間
　　　　　　　　　　　　　　ラジオ受信時：約２２時間
　　　　　　　　　　　　　　カセットテープ再生時：約１７時間
　　　　　　　　　　　　　　（東芝アルカリ乾電池単２×８本使用時）
　再生可能ディスク：CD、CD－R／RW（CD－DAフォーマット）
　受信周波数（注１）：AM：５３１kHz～１，６２９kHz
　　　　　　　　　　　　　FM：７６MHz～９０MHz
　外部入力端子：３．５mmΦステレオミニジャック（LINE　IN）
　外部マイク入力端子：３．５mmΦモノラルミニジャック
　ヘッドホン出力端子：３．５mmΦステレオミニジャック
　スピーカー（注１）：１０cmΦコーン型×２
　実用最大出力（注１）：２．５W＋２．５W
　付属品：電源コード、リモコン（リチウム電池CR２０２５付）、取扱説明書（保証書付）

　注１　（社）電子情報技術産業協会の定める「JEITA規格」による測定値です。
　注２　ボタンなどの突起物は含みません



■お客様へのご案内先（お問い合わせ先）：
　東芝エルイートレーディングサポートセンター
　０１２０（２８）０４８８

日本エイサー、Windows８．１とOffice搭載の８型タブレットを発売

日本エイサー
Windows８．１とマイクロソフトOffice搭載
８型タブレット「Iconia　W４－８２０」
２０１３年１２月１３日（金）より発売開始


　日本エイサー株式会社（本社：東京都新宿区、代表取締役社長：●　國良（ボブ・セン）（◇））は、２０１３年１１月８日に発表した「Iconia　W４－８２０」とオプション品を、２０１３年１２月１３日（金）より順次発売いたします。Iconia　W４は、Windows８．１およびクアッドコアのインテル　Atom　プロセッサーを搭載し、高性能化ならびにウェブ閲覧で最大１０時間、ビデオ再生で最大８時間のバッテリー駆動時間を実現しました。

　◇社長名の正式表記と製品画像・参考資料は添付の関連資料を参照

＜製品特長＞
■より手軽に、より高性能に進化したミニタブレット
　・斜めからでも画像が鮮明な視野角１７０度のIPSパネルを採用。色ムラや色変化の少ない鮮明な映像表示を実現しました。
　・最新のWindows８．１およびクアッドコアのインテル　Atom　プロセッサー　Z３７４０を搭載。４つのコアでアプリやコンテンツが快適に動作します。
　・前モデルより約８５gの軽量化を実現。４１５gのコンパクトなボディは、女性やお子様の手に馴染むサイズです。
　・Micro　USB対応により、手軽に充電が可能です。

■オンもオフも自在に使える、１台２役の便利さを兼ね備えた８型液晶
　・写真から文書ファイルまで鮮明な表示
　屋外でもくっきりクリアに表示。高画質な５００万画素の背面AFカメラにより写真や動画撮影もフルHDのクオリティで撮影可能です。
　・ビジネスモードでも活躍する即戦力
　最新OSのWindows８．１に加え、２種類のOffice（Home　and　Business　２０１３または、Personal２０１３）をラインナップ。さらに、最大約１０時間使えるバッテリーを搭載。日帰り出張でも安心して活用できます。

■好きな機器を自由に接続
　大画面テレビとの接続が可能なMicro　HDMIポートと、様々な周辺機器との接続に役立つMicro　USBポートを搭載。microSDスロットは拡張ストレージ用としても使えます。

■Flashコンテンツも満喫
　Flash対応のインタラクティブなゲームも満喫できます。

■マルチタスクにも対応
　ビデオ通話中のWeb検索なども思いのまま。同時に複数の作業が行えます。


＜オプション＞

　※添付の関連資料を参照

＜スペック表＞

　※添付の関連資料を参照


■Iconia　W４－８２０製品ページ
　W４－８２０／FH　http://www.acer.co.jp/ac/ja/JP/content/model/NT.L31SJ.001
　W４－８２０／FP　http://www.acer.co.jp/ac/ja/JP/content/model/NT.L31SJ.002


■Acerについて
　エイサーは１９７６年の設立以来、人々の生活を豊かにする革新的な製品の研究、デザイン、マーケティングおよび販売とサポートを続けるICTカンパニーです。限界を超えて挑戦を続ける人々に向けてパソコン、タブレット、ディスプレイ、プロジェクターを提供しています。
　グローバルマーケットにおいてはノートブックパソコン売上シェア第３位（＊）を獲得しました。エイサーは、環境に配慮した製品デザインだけではなく、サプライヤーと協同で環境保全に配慮したサプライチェーンを確立しています。
　現在グループ全体の従業員数は８，０００人を超えており、２０１２年度は売上米ドル１４７億を達成しています。
　詳細は、http://www.acer.co.jpをご覧ください。　＊出典：IDC　２０１２

　（C）２０１３　Acer　Inc．All　rights　reserved．Acer　and　the　Acer　logo　are　registered　trademarks　of　Acer　Inc．Other　trademarks，registered　trademarks，and／or　service　marks，indicated　or　otherwise，are　the　property　of　their　respective　owners．

■日本エイサー株式会社について
　社名　　　　　：日本エイサー株式会社
　所在地　　　　：東京都新宿区西新宿６－２４－１　西新宿三井ビルディング１８F
　代表者　　　　：代表取締役社長　ボブ・セン
　設立　　　　　：１９８８年２月
　資本金　　　　：２億円
　事業内容　　：パーソナルコンピュータ、周辺機器、電子機器類、及びデータ通信機器類等のハイテク用品卸販売
　URL　　　　　　：http://www.acer.co.jp
　公式facebook：http://www.facebook.com/AcerJapan
　公式Twitter　：https://twitter.com/AcerJapan

KDDIなど、フルセグを搭載した約１０．１インチの大画面フォトフレームを発売

〈お知らせ〉「PHOTO－U　TV」の発売について


　KDDI、沖縄セルラーは２０１３年１２月１４日より、フルセグを搭載した約１０．１インチの大画面フォトフレーム「PHOTO－U　TV」を全国一斉に発売します。

　「PHOTO－U　TV」は、テレビやスマートフォンの動画および写真を１台でお楽しみいただける防水対応のフォトフレームです。また、テレビ番組表（Gガイド）から簡単に録画予約が可能なフルセグを搭載したほか、ワイヤレス出力が可能な「Miracast(TM)」に対応し、スマートフォンの動画などを約１０．１インチの大画面で視聴できます。

　さらに、「au　Cloud」にバックアップした写真を「PHOTO－U　TV」でも閲覧でき、多彩なスライドショーでお楽しみいただけます。

　なお、専用料金プラン「PHOTO－U　TVプラン」および最大２年間の月額基本使用料が０円（注）となる「PHOTO－U　TVおトク割」の提供を「PHOTO－U　TV」の発売開始と同時に開始します。

　「PHOTO－U　TV」の詳細は別紙をご参照ください。

　＞PHOTO－U　TV（http://www.au.kddi.com/mobile/product/digitallife/photo-u-tv/）
　＞PHOTO－U　TV料金プラン（http://www.au.kddi.com/mobile/charge/list/photo-u-tv/）

　＊製品画像は添付の関連資料を参照

　注）　機器代金、ユニバーサルサービス料などが別途かかります。

　※　電子番組表は、米国Rovi　Corporationが開発したGガイドを採用しています。
　※　ロヴィ、Rovi、Gガイド、G－GUIDE、およびGガイドロゴは、米国Rovi　Corporationおよび／またはその関連会社の日本国内における商標または登録商標です。
　※　「Wi－Fi　CERTIFIED　Miracast」「Miracast」は、Wi－Fi　Allianceの登録商標です。

＜別紙＞

●PHOTO-U (フォトユー) TV (ティーヴィ)
～「観る」楽しみ、PHOTO-U TV～

自分専用約10.1インチテレビ。防水対応 (注1)、録画 (注2) もできる。

・ワンセグだけでなくフルセグも搭載した、番組表 (Gガイド) からの録画予約も可能な地デジ対応フォトフレーム。
・バッテリー内蔵で持ち運びも簡単に。さらに、多様な利用シーンで楽しめる防水・防塵 (注3) にも対応。 
・フロント&ステレオスピーカーで高画質映像や地デジが楽しめる。 

スマホ (注4) の映像がPHOTO-U TVで楽しめる。大きな画面で迫力アップ。

・スマホで再生中の映像をワイヤレスで出力できる「Wi-Fi CERTIFIED Miracast（ＴＭ）」に対応。 
・スマホ経由で、インターネットのコンテンツ、動画、画像が約10.1インチの大画面で楽しめる。 

スマホの写真を手間なく表示。多彩なスライドショーが楽しめる。

・スマホで撮って、「au Cloud」(注5) にアップした写真が簡単に見られる。 
・スマホの「au Cloud」アプリから「PHOTO-U TV」で閲覧する写真を管理。 
・毎日見る天気予報はリモコンからワンタッチで表示が可能。 
・人がいない時は、自動で画面をオフにする「人感センサー」搭載で省エネ設計。 

　＊商品概要は添付の関連資料を参照

注1) キャップ類はしっかりと閉じてください。海水・プール・温泉の中に浸けないでください。内径6.3mmのノズルを用いて、約3mの距離から約12.5L/分の水を3分以上注水する条件で、あらゆる方向からのノズルによる噴流水によっても、電話機としての性能を保ちます。また、リモコンおよびACアダプタは、防水非対応です。 

注2) 内蔵メモリおよび、外部メモリ (別売) に保存されます。放送時間の変動には対応しません。 

注3) 防塵試験用粉塵 (直径75μm以下) が入ったとしても所定の動作および安全性を損なわないように保護されていることを意味します。砂浜などの上に置かないでください。 

注4) Miracast（ＴＭ）規格に対応した機器に限ります。すべての機器との接続を保証するものではありません。 

注5) au Cloudの利用には、事前にauスマートフォンによるau IDの設定、auスマートパス (情報料390円/月) へのご加入が必要です。 

※ 電子番組表は、米国Rovi Corporationが開発したGガイドを採用しています。 
※ ロヴィ、Rovi、Gガイド、G-GUIDE、およびGガイドロゴは、米国Rovi Corporationおよび/またはその関連会社の日本国内における商標または登録商標です。 


富士通、大規模な並列計算に対応の磁界シミュレーションパッケージソフトを販売開始

世界初！磁界シミュレータ「EXAMAG　LLGシミュレータ　V１」を販売開始
磁性体の微細な構造を解析する大規模なマイクロマグネティックシミュレーションを実現


　当社は、大規模な並列計算に対応した世界初（注１）の磁界シミュレーションパッケージソフトウェア「FUJITSU　Manufacturing　Industry　Solution　EXAMAG　LLGシミュレータ　V１」（注２）を、本日より販売開始します。

　本製品は、当社と株式会社富士通研究所（注３）が長年培ってきた大規模な並列計算の技術を適用するとともに、マイクロマグネティックス（注４）の手法と有限要素法（注５）を組み合わせ、複雑な形状の磁性材料を従来の数十倍の体積に対してPCサーバ上で解析することが可能になりました。

　また、本製品を、新規磁性材料の開発やHDD用磁気ヘッドやメモリデバイスといった磁気デバイスの設計に活用することで、物理的な試作の回数の削減や、環境負荷低減への貢献が期待されます。


　磁性材料は、HDD用磁気ヘッドやメモリデバイス、DC／DCコンバーター、非接触給電といった磁気デバイスに幅広く用いられております。それらのデバイスの高機能化や高効率化の要求から磁性材料の特性を考慮した最適設計が大きな課題となっています。例えば、HDD用磁気ヘッドは、記録と再生の能力のみならず安定性も非常に重要であり、磁性材料の磁気的な特性に加えてデバイスの微細な形状をも含めた解析が必要とされています。

　磁性体の中の微細構造を解析できるマイクロマグネティックスの手法は、このような解析には最適な手法です。しかし、本手法は、磁性材料を数原子程度の非常に小さな領域に分割する必要があるだけでなく、従来は、直交格子が用いられていたため複雑な形状を持った対象の計算には限界があり、十分活用することができませんでした。

　これらの課題に対応するため、本製品においては、大規模な並列計算の機能を実装するとともに、複雑な形状の磁性材料を扱えるよう本手法に有限要素法を組み合わせ、大規模なマイクロマグネティックシミュレーションの実行を可能としました。

＜EXAMAG　LLGシミュレータ　V１の特長＞
１．大規模な並列計算機能の実装
　マイクロマグネティックス計算において磁性材料の微細構造を考慮した解析を行うには、計算領域をナノメートルオーダー（注６）の非常に小さな領域に分割する必要があります。このため、計算時のメモリ使用量が膨大になるだけでなく、計算にも多大の時間を要していました。磁性材料の微細構造の解析を行うため、本シミュレータではMPI並列計算（注７）を実装しました。これにより、高速計算が可能となるだけでなく、複数のPCサーバのメモリを有効活用でき１０００万格子を超える大規模計算も可能となりました。

２．有限要素法をベースとしたマイクロマグネティックス計算
　従来のマイクロマグネティックス計算では直交格子が用いられていました。このため、複雑な形状を持った対象を精度良く計算するには限界がありました。今回、有限要素法を採用することにより、直交格子では表現が困難な磁性材料の微細構造や、複雑形状を有する磁気デバイスの最適設計に向けた解析が可能となりました。

　＊図１は、添付の関連資料を参照

＜販売価格および提供時期＞

　＊添付の関連資料「参考資料」を参照

＜動作環境＞
　ハードウェア　：「FUJITSU　Server　PRIMERGY」などのIAサーバ（PCサーバ）
　CPU　　　　　　：Intel(R)Core（TM）２　１．８GHz以上
　メモリ　　　　　：４GB以上
　OS　　　　　　　：Red　Hat(R)Enterprise　Linux(R)６．０以上

＜商標について＞
　記載されている商品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。


以上


＜注釈＞
　注１　世界初：
　２０１３年１２月当社調べ。

　注２　LLGシミュレータ：
　ランダウ（Landau）－リフシッツ（Lifshitz）－ギルバート（Gilbert）の３名の物理学者に由来する磁化の運動方程式をLLG方程式といいます。本製品はこの方程式に基づくシミュレータです。

注３　株式会社富士通研究所：
　代表取締役社長　富田達夫、本社　神奈川県川崎市。

　注４　マイクロマグネティックス：
　磁性材料の内部の微細な磁化状態を解析する手法。計算機シミュレーションにおいては磁性材料を数原子程度の領域に分割する必要があるため膨大な計算時間を要します。

　注５　有限要素法：
　数値解析手法のひとつ。構造解析や電磁界解析で広く適用されています。

　注６　ナノメートル：
　１ナノメートルは１００万分の１ミリメートル。

　注７　MPI並列計算：
　MPI（Message　Passing　Interface）ライブラリによって、ネットワークで接続された複数の計算機上で並列計算を行う方法です。

日立、ARと３Dデーター処理を用いた遠隔地作業支援技術を開発

AR（拡張現実感）と３D（３次元）データ処理を用いた遠隔地作業支援技術を開発
作業者と監督者がリアルタイムで現場作業の進捗状況を共有し作業指示映像を表示


　株式会社日立製作所（執行役社長：中西　宏明／以下、日立）は、海外におけるプラントなどの現場作業を監督者がいる遠隔地から支援することを目的として、AR（Augmented　Reality：拡張現実感）および３D（３次元）データ処理を用いた遠隔地作業支援技術を開発しました。開発した遠隔地作業支援技術は、３Dデータ処理を用いて、作業者と監督者がリアルタイムで作業の進捗状況を共有し、ARによって作業者の視野に監督者からの指示内容を直接表示することができます。今回の開発技術によって、精度の高い遠隔地作業支援を実現できるとともに、今後、減少が懸念されている熟練技術者の技術・技能の伝承にも貢献できると期待されます。

　グローバル化の拡大に伴い、特に新興国において企業が新たな事業を立ち上げる際には、技術者や作業者の確保、育成が重要な課題となっています。近年は企業が社内で育成した人材を展開するばかりでなく、ITを駆使して現地作業を支援し、現地の人材を育成する遠隔地作業支援技術が注目されています。特に現実の環境に情報を付加し現実世界を拡張できるARは、作業者の視野に指示や必要な情報を直接表示できることから、監視カメラ映像で課題となる死角の影響を受けず、また音声に比べ任意の箇所を直接的に伝えることが可能になるなど、ヒューマンエラーをなくすための有用な支援ツールになると考えられています。今回、日立はARおよび３Dデータ処理を用いた作業支援技術を開発し、プラント現場の複雑な構造物を対象に作業者と監督者がリアルタイムに高い精度で進捗状況を共有し、監督者からの指示内容を作業者に直接表示する技術を開発しました。開発技術の内容は以下の通りです。


１．３Dデータ処理によるリアルタイムでの作業進捗状況の把握
　現場作業者の作業が適切に完了したかどうかをその場で判定するために、設計図および作業工程情報から生成する作業完了時の３Dデータと、現場で取得した３Dデータの差分を高速に抽出する技術を開発しました。これによって、適切な状態で作業が進捗しているかをリアルタイム（１～２秒）で判定することが可能となりました。

２．ARを用いた作業現場と遠隔地におけるリアルタイムの情報共有
　現場作業者が見ている視野の映像に作業指示や関連情報を重ねて表示したAR映像を、現場作業者と遠隔地の監督者がリアルタイムで共有できるようにしました。また、AR映像中において作業対象となっている設備や部品の画像を検索キーとして、監督者がマニュアルや仕様書などを検索し、関連情報を抽出してAR映像に重ねて作業者に表示することができます。

　今後、開発技術の実証研究を重ね、企業の海外展開にともなう遠隔地作業支援に適用していく予定です。


以上

ホンダ、ナイジェリアで低価格な新型小型二輪車「CG１１０」を発売

ナイジェリアでさらなる低価格な新型小型二輪車「CG１１０」を発表・発売


　Hondaのナイジェリアにおける二輪車生産販売子会社であるホンダマニュファクチュアリングナイジェリア（本社：オグン州オタ市　社長：石川　修）は、現地時間２０１３年１２月１０日９：００に以下を発表しましたので、その内容をご案内いたします。


＜ご参考＞
　Hondaのナイジェリアにおける二輪車生産販売子会社であるホンダマニュファクチュアリングナイジェリアは、本日１７：００（現地時間同日９：００）に、新型二輪車「CG１１０」の発表会を開催しました。このモデルは、本日より同国内で販売を開始します。

　現地のお客様のさまざまなニーズや道路状況などに合わせて、燃費性能と耐久性に徹底的にこだわり開発した排気量１１０ccクラスのCG１１０は、Hondaのグローバルネットワークを活用することで、さらにお求めやすい価格を実現しました。販売価格は約１０万ナイラ（約６万５，０００円）（※）、販売台数は年間４万台を計画しています。

　また、２０１１年９月２９日より販売している、優れた燃費性能や高い実用性が好評な排気量１２５ccクラスの「Ace　CB１２５」と、ロングシートの採用による高い居住性や積載性が好評な「Ace　CB１２５－D」をマイナーモデルチェンジし、本日発売しました。これに加え、ナイジェリア市場で最大のマーケットであり、お客様から強くご要望をいただいていた１１０ccクラスに、優れた実用性がありながらも低価格を実現した新モデルのCG１１０を投入することで、さらなる販売拡大を目指します。

　Hondaは、成長著しいアフリカ諸国において、今後も積極的に現地ニーズに合わせて生産・販売を行っていきます。
　※　１ナイラ＝０．６５円換算

　＊製品画像は添付の関連資料を参照

【ホンダマニュファクチュアリングナイジェリアリミテッド＜Honda　Manufacturing（Nigeria）Ltd．＞概要】
　設立：１９７９年７月
　生産開始：１９８０年１１月
　生産能力：１５万台／年
　出資比率：本田技研工業株式会社　７６．３％
　代表者：社長　石川　修（いしかわ　おさむ）
　所在地：ナイジェリア　オグン州　オタ市


　お客様からのお問い合わせは、「お客様相談センター　０１２０－０８６８１９（オーハローバイク）」へお願い致します。

富士通研究所、ネットワーク上のストレージアクセスを高速化するSDN技術を開発

ネットワーク上のストレージアクセスを高速化するSDN技術を開発
仮想化・クラウド基盤でネットワークを有効活用し、システムのスケーラビリティを向上



　株式会社富士通研究所（注１）は、LAN、SAN（Storage　Area　Network）（注２）の統合ネットワークを対象としてストレージトラフィックの経路を制御し、スループットの向上を実現するSDN（Software　Defined　Networking）技術を開発しました。

　近年、データセンターにおいてシステムの効率的な運用が求められており、ネットワークスイッチを装置の外部からコントローラーのソフトウェアによって遠隔制御し、仮想化されたネットワークを活用するSDN技術が適用され始めています。さらに、コスト削減と運用の簡易化を目的として、LANとSANをひとつのネットワークに統合する技術の適用も進んでいます。

　従来のSDN技術はLAN用スイッチの制御を想定しているためSANのストレージトラフィックの最適化には適用できませんでした。このため、LANとSANを統合したネットワークに適用する場合、システムを拡張する際の性能向上に課題がありました。

　今回、ストレージトラフィックの制御に必要な機能をネットワークスイッチに実装し、それをコントローラーから制御することで、SDNによるストレージトラフィックの経路を制御可能にし、ネットワーク資源を仮想網が有効に活用できるようになりました。この技術を適用したLAN、SANの統合ネットワーク開発環境で約２倍の性能向上を確認しました。

　今後、この技術を用いることで、垂直統合型の仮想化・クラウド基盤を構築する際に、LANとSANを統合するネットワークの負荷に応じて柔軟にシステムを拡張することができるようになります。


　本技術の詳細は、１２月９日（月曜日）から米国・アトランタで開催される国際会議「IEEE　MENS　２０１３（Management　of　Emerging　Networks　and　Services　２０１３）」（IEEE　GLOBECOM　２０１３に併設）にて発表します。


■開発の背景
　近年、データセンターのTCO削減を実現するためサーバやネットワークの仮想化が進められ、仮想化されたネットワークをソフトウェアで制御するSDN技術が適用され始めています（図１）。さらに、コスト低減や運用管理作業の効率化を目的として、従来は個別に配備していたLANとSANを一つのネットワークに統合する技術の適用も進んでいます（図２）。

　※図１・図２は、添付の関連資料を参照


■課題
　OpenFlow（注３）に代表される従来のSDN技術では、イーサネットアドレスやIPアドレスを用いてLANトラフィックに対する制御はできましたが、IPアドレスを使わないストレージトラフィックに対応していませんでした。そのため、LAN・SAN統合ネットワークにおけるストレージトラフィックは制御できず、ネットワークを効率的に利用できないという課題がありました。


■開発した技術
　今回、LAN・SAN統合ネットワークを実現するFCoE（Fibre　Channel　over　Ethernet）（注４）のデータの流れ（ストレージフロー）（注５）に着目し、SDNによってストレージトラフィックを制御する技術を開発しました。

　開発した技術の特長は以下のとおりです。（図３、４）

　１．ストレージフロー検出・ストレージフロー操作（パケット変換・パケット転送）機能を、イーサネット・スイッチに実装
　　FCoEのデータ中継に必要な機能を、外部からの制御に適するように、ストレージフロー検出とストレージフロー操作に分割して当社で試作したコンバージドファブリックスイッチ（図３）に実装しました。

　２．集中制御を実現する外部コントローラーへの、ソフト制御インターフェースを開発
　　ストレージフロー検出・ストレージフロー操作を、外部コントローラーから制御可能にしました。

　３．複数のスイッチでのストレージトラフィックの制御を可能とする外部コントローラーを開発
　　図４の構成でストレージトラフィックの経路操作が外部から可能になりました。

　※図３・図４は、添付の関連資料を参照


■効果
　今回開発した技術をイーサネット・スイッチベースのシステムに適用することで、開発環境で約２倍のスループットを達成しました。データトラフィックを適切に分散することで、LANとSANを統合するネットワークの負荷に応じた柔軟なシステム拡張を実現できます。


■今後
　本技術により、垂直統合型の仮想化・クラウド基盤でのクラウドシステム構築において、ネットワークの効率利用が可能となり、スケーラビリティの向上が期待されます。

　富士通研究所では、今回発表のストレージトラフィックの制御を含む効率的なネットワーク利用の研究開発を進め、２０１４年度中の実用化を目指します。


■商標について
　記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。


以上


＜注釈＞
　注１　株式会社富士通研究所：
　　　　　代表取締役社長　富田達夫、本社　神奈川県川崎市。

　注２　SAN（Storage　Area　Network）：
　　　　　複数のサーバとストレージの間をつなぐ専用ネットワーク。

　注３　OpenFlow：
　　　　　ルータやスイッチの制御部分をデータ転送と分離させて集中制御する技術。

　注４　FCoE（Fibre　Channel　over　Ethernet）：
　　　　　SANとして広く使用されているFibre　Channelのプロトコルを、Ethernet上で利用するための技術。FCoEによって、LANとSANを一つのネットワークに統合することが可能。

　注５　ストレージフロー：
　　　　　サーバ・ストレージ間で、宛先アドレスと送信元アドレスの組などによって指定されるSDNによって制御可能な通信トラフィックの単位。

トレンドマイクロ、就活生と社会人のSNS利用とプライバシー意識に関する調査を発表

就活生と社会人のSNS利用とプライバシー意識に関する調査－
８割を超える就活生がSNSで日常の出来事を「不特定多数に公開」
～社会人と比べ低い就活生のプライバシー意識。新社会人向けSNS教育が急務～



　トレンドマイクロ株式会社（本社：東京都渋谷区、代表取締役社長兼CEO：エバ・チェン、東証一部：４７０４　以下、トレンドマイクロ）は、２０１５年度に向け就職活動を実施予定の学生１０７名および社会人２４８名、計３５５名を対象としたWebアンケート調査「就活生と社会人のSNS利用とプライバシー意識に関する調査」を２０１３年１１月に実施しました。

　本調査において、就活生の８割以上、社会人は約５割が、日常の出来事を不特定多数に向けSNS上で投稿していることがわかりました。また、一日にSNSに２回以上投稿をおこなう人の割合は、就活生では約６割、社会人は約２割と、大きな差がみられました。就活生は社会人と比べ、不特定多数に向けたSNS投稿を頻繁に行っていることが伺えます。また、SNSに投稿する際に、どの範囲まで情報が公開されるかについて意識しているかという質問に対しても、「意識していない」と回答した割合が社会人２９．４％に比べて就活生３５．５％となるなど、就活生は情報公開への意識が低い結果となりました。

　さらに、就活生の約２人に１人が、知人・友人の写真をSNSに投稿した経験があると答えました。これは、社会人の経験者割合約３割と比較しても高い数値です。一方で、自分の写真が勝手に他人のSNSに投稿された経験のある回答者のうち、その行為を「不快」と感じた割合は、社会人は７０．５％に対し、就活生では５８．５％にとどまるなど、就活生と社会人の間には情報公開への意識に差があることがわかりました。

　SNSを利用する際は、投稿する情報の内容が適切かどうか意識したうえで、プライバシー設定を正しく行わないと、不特定多数へ意図せず情報が公開されてしまうリスクがあります。今後新社会人を迎える企業では、SNS利用に関する従業員向けの教育が必要と言えます。


【調査結果の概要】

１．不特定多数への公開投稿

　・日々の出来事を不特定多数に公開している：就活生　８２．２％、社会人　５４．８％
　・一日に２回以上SNSに投稿する：就活生　５９．８％、社会人　１９．８％
　・SNSに投稿する際、情報公開の範囲を「意識していない」：就活生　３５．５％、社会人　２９．４％

２．写真投稿によるプライバシー侵害

　・SNSに他人の写真を投稿した経験がある：就活生　４９．５％、社会人　３５．１％
　・勝手に自分の写真をSNSに投稿された経験がある：就活生　４９．５％、社会人　２４．６％
　・勝手に自分の写真を投稿されて「不快」と感じた：就活生　５８．５％、社会人　７０．５％

３．インターネットの炎上問題

　・自分のまわりに炎上問題のリスクはない：就活生　５３．３　％、社会人　４５．２％


■調査概要

　・調査名：就活生と社会人のSNS利用とプライバシー意識に関する調査
　・実施時期：２０１３年１１月１５日～１１月１９日
　・回答者数：SNS（Facebook、Twitter、Google＋　のいずれか）の利用者　計３５５名
　　　（内訳）２０１５年度に向け就職活動を実施予定の学生　１０７名
　　　社会人（パート・アルバイトは除く）２４８名
　・手法：インターネット調査


■主な調査結果

１．SNSで不特定多数へ日常の出来事を公開投稿する割合：就活生は８割以上、社会人は約５割
　就活生のSNSのプライバシー意識の低さが浮き彫りに

　SNSで不特定多数へ日常の出来事を公開投稿しているかを尋ねたところ、就活生のうち８２．２％が公開投稿をしていると回答しました。これは、社会人の５４．８％という結果と比べても、非常に高い割合と言えます（図１）。また１日に２回以上、SNSに投稿をするユーザの割合も、就活生は５９．８％と、社会人の１９．８％よりもはるかに高い結果となりました（図２）。
　投稿する際にどこまで情報が公開されるか意識しているかという質問に対しては、就活生３５．５％、社会人２９．４％が「意識していない」と回答するなど、就活生は社会人に比べSNSに慣れ親しんでいる一方で、情報を不特定多数にあまり意識せずに公開していることがわかりました。

　＊図１～２は、添付の関連資料を参照


２．就活生の約半数と、社会人の約３割が知人・友人の写真をSNSに投稿した経験有り。一方、自分の写真が勝手に他人のSNSに投稿されることに対しては、就活生の５割以上、社会人の７割以上が「不快」と回答。

　SNSで他人の写真を投稿したことがあるかについて尋ねたところ、就活生の約半数にあたる４９．５％が経験があると回答しました。社会人の回答３５．１％と比較して高い結果となりました（図３）。
　また、自分が知らないうちに自分の写真を他の人のSNSに投稿されたことがあるかどうかについては、就活生の４９．５％が経験ありと回答しましたが、社会人では２４．６％に留まりました（図４）。あわせて、自分の写真を勝手にSNSに投稿された時にどう思ったか、という質問には、「不快」と回答する割合が社会人は７０．５％と非常に高く、一方で就活生は５８．５％という結果となりました（図５）。就活生は社会人と比べてSNSにおけるプライバシー意識が低く、他者のプライバシーを侵害するリスクが大きいこと、また自身へのプライバシー侵害に対しても比較的寛容であるという傾向が見られました。

　＊図３～５は、添付の関連資料を参照


３．インターネット炎上問題のリスクは“他人事”、約半数が「自分のまわりにリスクはない」と回答

　近年問題となっている炎上問題（自社の商品や商材、店舗などで、消費者が不快に感じるいたずらや悪ふざけの写真を投稿する問題）について尋ねたところ、就活生は５３．３％、社会人は４５．２％が「自分の周りにはリスクはない」と回答しました（図６）。

IDC　Japan、２０１７年までの国内製品別サポートサービス市場予測を発表

国内製品別サポートサービス市場予測を発表


　・国内ハードウェアサポート市場の縮小傾向は継続。２０１２年～２０１７年の年間平均成長率マイナス４．８％で推移
　・一方ソフトウェア市場の拡大に伴い、国内ソフトウェアサポート市場は成長を見込む。同期間の年間平均成長率は１．７％になる見込み
　・チャネルとの協業による特色のあるサポートサービスや、非IT製品も含めた包括的なサポートサービス提供など、付加価値の高いサービス提供が、ベンダーにとって必要に


　IT専門調査会社　IDC　Japan株式会社（所在地：東京都千代田区九段北１‐１３‐５、代表取締役：竹内正人、Tel代表：０３－３５５６－４７６０）は、国内製品別サポートサービス市場予測を発表しました。これによるとITハードウェア製品のサポートサービス市場は、製品分野を問わず縮小していく一方、サポート対象であるソフトウェア市場が今後も拡大する見込みのソフトウェアサポート市場は、低率ながらも堅調に成長していくものと予測しています。

　国内IT市場は、国内経済の低成長、製品価格の低下、パブリッククラウドやデータセンターサービスなど利用型ソリューションの拡大といった構造変化などにより、２０１７年までほぼ横ばいで推移するとIDCでは予測しています。特にハードウェア製品は、サーバー、ネットワーク機器を中心にマイナス成長となる見込みです。この、ハードウェア製品そのものの市場縮小と、製品販売先のエンドユーザー企業からデータセンター等の事業者へのシフトといった影響を受け、国内ハードウェアサポート市場の２０１２年～２０１７年の年間平均成長率（Compound　Annual　Growth　Rate：CAGR）はマイナス４．８％で推移するとIDCでは予測しています。この結果、２０１２年には３，９６５億円であった支出額規模は、２０１７年には３，１００億円になる見込みです。製品分野別にみると、メインフレームやRISC／IA６４サーバー向けのサポートサービスがCAGRで１０％を超すペースで縮小する一方、x８６サーバー、ストレージ、ネットワーク機器などは比較的小さな縮小幅になるとみられます。

　一方、ソフトウェアサポート市場は、ソフトウェア市場の拡大に伴ってプラス成長が見込まれます。国内ソフトウェアサポートサービス市場は２０１２年から２０１７年にかけてCAGR１．７％で推移し、２０１７年の同市場規模は４，９０７億円になるものとIDCでは予測しています。ソフトウェアサポート市場も、ハードウェアサポート市場同様、製品の販売先変化に見舞われるものの、それ以上に製品市場の拡大が見込まれるため、プラス成長となります。特に、アプリケーション開発／デプロイメントソフトウェアに向けたサポートサービスが高い成長を遂げるものとみられます。

　国内サポートサービス市場は、製品のコモディティ化、クラウドやアウトソーシングの影響、製品の販売先としてのサービス事業者の台頭とエンドユーザー企業によるサポートサービスへの支出減といったさまざまな構造的な課題に見舞われています。IDC　Japan　ITサービス／コミュニケーションズ　グループディレクターの寄藤　幸治は「サービスベンダー各社は、チャネルと連携した特色あるサポートサービスの開発、他業種のプレイヤーと連携した非IT製品も含めた包括的なサポートサービスの提供などにより、差別化を図っていく必要がある」と述べています。

　今回の発表はIDCが発行したレポート「国内サポート市場　製品セグメント別　２０１２年の実績と２０１３年～２０１７年の予測」（J１３２６０１０８）にその詳細が報告されています。本レポートでは、国内サポート市場の概況や動向を分析し、サポートサービスの対象となる製品別に市場規模予測をまとめています。

【レポートの詳細についてはIDC　Japanへお問い合わせください】


＜参考資料＞
　国内サポートサービス市場　支出額予測：２０１１年～２０１７年

　※添付の関連資料を参照


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　現在、１１０か国以上を対象として、１，０００人を超えるアナリストが、世界規模、地域別、国別での市場動向の調査・分析および市場予測を行っています。

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